[实用新型]集成电路和用于保护数据的电路

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

存储器，包括状态晶体管，所述状态晶体管包括浮置栅极，其中所述状态晶体管被配置为将代表相应数据值的电荷存储在所述状态晶体管的浮置栅极中；

用于保护在所述存储器中存储的所述数据的器件，所述器件包括电容性结构，所述电容性结构包括：

第一导电体，耦合到所述状态晶体管的所述浮置栅极；

介电体；以及

第二导电体，耦合到接地端子；

其中所述介电体被配置为：

如果水溶液与所述介电体接触，则电耦合所述浮置栅极和所述接地端子，以便修改在所述浮置栅极上的所述电荷，并且丢失所对应的数据；以及

否则，电隔离所述浮置栅极和所述接地端子。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一导电体和所述第二导电体位于所述集成电路的互连部分的相同金属层级内。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述第二导电体具有与所述第一导电体的形状的轮廓的至少一部分匹配的形状。

4.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述第一导电体包括第一金属轨道，所述第一金属轨道在相应金属层级的平面的方向上延伸，并且所述第二导电体包括与所述第一金属轨道并排延伸的第二金属轨道。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述存储器还包括另一状态晶体管，所述另一状态晶体管包括另一浮置栅极，其中用于保护所述数据的所述器件还包括另一电容性结构，并且其中所述电容性结构和所述另一电容性结构位于所述集成电路的互连部分的不同金属层级内。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述介电体包括材料，所述材料被包括在所述集成电路的互连部分的金属层级的金属间介电层内，相应导电体位于所述金属层级内。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，还包括第一补偿电容性结构，所述第一补偿电容性结构包括第三导电体，所述第三导电体耦合到所述状态晶体管的控制栅极，所述控制栅极位于所述浮置栅极上方，其中所述第三导电体被配置为与所述电容性结构的所述第一导电体电容性耦合。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，用于保护所述数据的所述器件还包括第一沟槽，所述第一沟槽填充有导电材料，所述导电材料在深度上垂直地延伸到所述集成电路的半导体衬底中，填充所述沟槽的所述导电材料被电耦合到所述状态晶体管的所述浮置栅极。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述第一沟槽和/或第二沟槽填充有导电材料，所述导电材料具有与耦合到所述状态晶体管的掩埋存取晶体管的垂直栅极相同的结构，并且所述导电材料包括与所述垂直栅极相同的材料。

10.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，还包括第二补偿电容性结构，所述第二补偿电容性结构包括第二沟槽，所述第二沟槽填充有导电材料，其中填充所述第二沟槽的所述导电材料被配置为与填充用于保护所述数据的所述器件的所述第一沟槽的所述导电材料电容性耦合。

11.根据权利要求10所述的集成电路，其特征在于，所述第一沟槽/所述第二沟槽填充有导电材料，所述导电材料具有与耦合到所述状态晶体管的掩埋存取晶体管的垂直栅极相同的结构，并且包括与所述垂直栅极相同的材料。

12.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，在所述状态晶体管中存储的所述数据为旨在被读取以便实现所述集成电路的功能的数据。

13.根据权利要求12所述的集成电路，其特征在于，所述数据是对用于启动所述集成电路的指令进行编码的数据。