[实用新型]集成电路和用于保护数据的电路

说明书

本公开的实施例涉及集成电路和用于保护数据的电路。集成电路存储器，包括：存储器，包括状态晶体管，状态晶体管包括浮置栅极，状态晶体管被配置为将代表相应数据值的电荷存储在状态晶体管的浮置栅极中；用于保护在存储器中存储的数据的器件，包括电容性结构，电容性结构包括：第一导电体，耦合到状态晶体管的浮置栅极；介电体；以及第二导电体，耦合到接地端子；其中介电体被配置为：如果水溶液与介电体接触，则电耦合浮置栅极和接地端子，以修改在浮置栅极上的电荷，并且丢失所对应的数据；以及否则，电隔离浮置栅极和接地端子。根据本公开的实施例，改善了用于保护在集成电路存储器内存储的数据、并且防止所有类型的攻击的技术。

技术领域

各个实施例及其实现方式涉及保护在集成电路存储器中存储的数据，尤其是涉及防止逆向工程。

背景技术

逆向工程技术可以使得能够重构集成电路的整个物理结构，并且还能够恢复在集成电路的非易失性存储器内包含的数据，特别是秘密数据。

例如，如果数据构成用于分析集成电路的操作的关键元素，或者如果数据包含加密密钥/解密密钥、标识信息或认证信息，或者出于任何其他原因，则数据必须被保密。

从非易失性存储器中恢复数据通常包括纳米探测技术、无源电压对比(PVC)技术、或电子束感应电流(EBIC)技术。

这些技术需要经由前面来访问集成电路的逆向分析部分，以便使探针通常与集成电路的逆向分析部分接触，或者经由后面访问集成电路的逆向分析部分，以便访问存储器单元的浮置栅极。

常规地，前面是集成电路的半导体衬底的面，在该面上形成了晶体管，并且通常在其顶部上找到互连部分(通常由“线路后段(Back End of Line)”的首字母缩写BEOL指示)。

后面是与衬底的前面相对的面。

为了获得对集成电路的逆向分析部分的访问，集成电路通常以机械方式、通过使用聚焦离子束(FIB)、或通过等离子体烧蚀进行加工。

前面的机械加工或化学机械加工尤其允许逐级延迟互连部分，以便重构互连。机械加工通常包括用水、或潜在地用在水溶液中的化合物润滑的机械抛光。在后面上，这种技术允许减薄电路。

通过聚焦离子束FIB进行加工，允许实现纳米蚀刻，例如以便经由后面到达浮置栅极附近，以便例如通过PVC或EBIC观察浮置栅极的电行为，并且由此推断出所存储的信息。经由前面，FIB技术还允许访问互连层级。

如果集成电路没有加电、或如果集成电路的功能被破坏，则用于检测逆向工程的传统器件针对检测上述方法无效。

因此，期望的是，改善用于保护在集成电路存储器内存储的数据、并且防止所有类型的攻击的技术。

实用新型内容

本公开的目的是提供用于保护在存储器中存储的数据的集成电路，以至少部分地解决现有技术中存在的上述问题。

本公开的一方面提供了一种集成电路，包括：存储器，包括状态晶体管，状态晶体管包括浮置栅极，其中状态晶体管被配置为将代表相应数据值的电荷存储在状态晶体管的浮置栅极中；用于保护在存储器中存储的数据的器件，器件包括电容性结构，电容性结构包括：第一导电体，耦合到状态晶体管的浮置栅极；介电体；以及第二导电体，耦合到接地端子；其中介电体被配置为：如果水溶液与介电体接触，则电耦合浮置栅极和接地端子，以便修改在浮置栅极上的电荷，并且丢失所对应的数据；以及否则，电隔离浮置栅极和接地端子。

根据实施例，第一导电体和第二导电体位于集成电路的互连部分的相同金属层级内。

根据实施例，第二导电体具有与第一导电体的形状的轮廓的至少一部分匹配的形状。

根据实施例，第一导电体包括第一金属轨道，第一金属轨道在相应金属层级的平面的方向上延伸，并且第二导电体包括与第一金属轨道并排延伸的第二金属轨道。