[实用新型]一种合成炉测温结构有效
申请号: | 202021467889.1 | 申请日: | 2020-07-22 |
公开(公告)号: | CN213481565U | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 许振华;罗福敏;李勇;刘留;苏小平 | 申请(专利权)人: | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
主分类号: | G01K1/14 | 分类号: | G01K1/14;G01K1/12 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 张晨 |
地址: | 404040 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 合成 测温 结构 | ||
本实用新型涉及半导体材料领域,公开了一种合成炉测温结构,包括设置于堵头上的测温器,测温器位于合成炉内壁与石英管外壁之间,且测温器沿合成炉轴向延伸,测温器的探头与石英管的外壁之间具有间隙,堵头上开设有测温孔,测温器设置于测温孔内。本实用新型能够解决由于在合成炉上打孔造成热量流失,温场紊乱的问题,以提高产品制成率。
技术领域
本实用新型涉及半导体材料技术领域,尤其涉及一种合成炉测温结构。
背景技术
在使用水平定向凝固法合成砷化镓多晶时,合成炉两端(合成炉的前炉口和后炉口)需要用堵头封起来进行保温,防止热量流失。砷和镓分别装载于砷舟和镓舟内,然后密封在石英管中,石英管内达到反应点的温度才能发生反应,因此需要测量石英管的温度以保证砷化镓多晶的顺利合成。
现有的测温器插在炉体侧面,需要在合成炉侧面上打孔,打孔后,就会造成热量流失,温场紊乱,制成率低下,甚至合成失败。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的是提供一种合成炉测温结构,解决由于在合成炉上打孔造成热量流失,温场紊乱的问题,以提高产品制成率。
本实用新型通过以下技术手段解决上述技术问题:
一种合成炉测温结构,包括设置于堵头上的测温器,测温器位于合成炉内壁与石英管外壁之间,且测温器沿合成炉轴向延伸。
进一步,测温器的探头与石英管的外壁之间具有间隙。
进一步,堵头上开设有测温孔,测温器设置于测温孔内。
进一步,测温器滑动穿设在测温孔内。
进一步,测温孔的个数至少为两个。
进一步,若干个测温孔均位于堵头的上部,且各个测温孔呈弧形排列。
进一步,合成炉的前炉口和后炉口的堵头上均设置有测温器。
进一步,合成炉的前炉口的堵头上的测温孔个数为五个。
进一步,合成炉的后炉口的堵头上的测温孔个数为两个。
进一步,堵头呈锥形,其小径端位于合成炉内、大径端位于合成炉外。
相对于现有的测温器安装结构而言,本实用新型的测温器安装结构具有如下优点:
1、现有的测温器插在炉体侧面,而本实用新型将测温位置从合成炉的侧面转移至合成炉的炉口,将测温器直接安装于合成炉的堵头上,无需在合成炉上打孔,因此能够减少由于在合成炉上打孔造成的热量散失、温场紊乱的问题,从而提高了制成率。
2、当产品规格改变时,测温点的位置也需要改变,由于现有的测温器位置已经固定,无法根据产品规格调整出适合的测量点,强行生产时,做出的产品成品率大幅减降低,甚至合成失败,出现生产事故,不生产又会造成设备的闲置。而本实用新型的测温器安装在堵头上,可以在堵头上调整测温器插入合成炉内的深度,即可获取所需要的测量温度,成品率不会降低,本实用新型测温结构的设计可快速改变温场位置,提高了设备的利用率。
3、现有的测温器的探头直接与石英管外壁接触,探头容易熔断,无法测温,而本实用新型的测温器的探头不直接与石英管外壁接触,探头不容易熔断,减少测温器探头铂铑丝的损耗。
4、堵头采用一体成型的锥形结构,能与合成炉炉口形成很好的密封,且堵头使用多次后,密封性依然良好,保温效果良好。
5、堵头上预留测温孔,测温器位置精确,测温准确,产品成品率提升显著。
附图说明
图1是本实用新型一种合成炉测温结构的结构示意图;
图2是图1中后堵头的侧视图;
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