[实用新型]一种高正料比的多晶硅还原炉

权利要求书

1.一种高正料比的多晶硅还原炉，其特征在于：所述高正料比的多晶硅还原炉包括底盘、设置在底盘上的炉罩、设置在底盘上的电极、设置在炉罩内的硅芯、设置在底盘上的进气口和设置在底盘上的出气口，所述硅芯设置在底盘上，所述电极包括正电极和负电极，所述正电极、负电极和硅芯数量相同、且一一对应，所述硅芯通过电极与外界高压电相接，所述进气口与出气口连通炉罩外和炉罩内，所述硅芯以底盘中心为圆心呈同心圆分布，所述硅芯在每一个同心圆上均呈圆周阵列分布，所述每个同心圆与相邻同心圆之间设置有一圈以底盘为圆心呈圆周阵列分布的进气口，所述硅芯均设置在距离相邻进气口的中心点处。

2.根据权利要求1所述的一种高正料比的多晶硅还原炉，其特征在于，所述进气口包括内圈进气口、外圈进气口和中圈进气口，所述进气口均设置在距离硅芯最远处所述硅芯包括内圈硅芯、外圈硅芯和中圈硅芯，所述每一圈硅芯与每一圈进气口呈间隔分布。

3.根据权利要求1所述的一种高正料比的多晶硅还原炉，其特征在于，所述底盘上设置有冷却水进出口，所述炉罩上缠绕有冷却水管，所述冷却水管与冷却水进出口相连。

4.根据权利要求2所述的一种高正料比的多晶硅还原炉，其特征在于，所述内圈进气口设置有1个，所述中圈进气口设置有4个，所述外圈进气口设置有8个。

5.根据权利要求4所述的一种高正料比的多晶硅还原炉，其特征在于，所述内圈硅芯设置有4个，所述中圈硅芯设置有8个，所述外圈硅芯设置有12个。

6.根据权利要求4所述的一种高正料比的多晶硅还原炉，其特征在于，所述内圈进气口设置在底盘正中心。

7.根据权利要求4所述的一种高正料比的多晶硅还原炉，其特征在于，所述外圈硅芯间距炉罩内壁300mm以上，所述硅芯之间的间距为260-280mm。

8.根据权利要求4所述的一种高正料比的多晶硅还原炉，其特征在于，所述出气口设置有4个，所述出气口呈环形分布。

9.根据权利要求4所述的一种高正料比的多晶硅还原炉，其特征在于，所述炉罩上设置有观察视窗。