[实用新型]一种高正料比的多晶硅还原炉

说明书

本实用新型通过一种高正料比的多晶硅还原炉，所述高正料比的多晶硅还原炉包括底盘、设置在底盘上的炉罩、设置在底盘上的电极、设置在炉罩内的硅芯、设置在底盘上的进气口和设置在底盘上的出气口，所述硅芯设置在底盘上，所述电极包括正电极和负电极，所述正电极、负电极和硅芯数量相同、且一一对应，所述硅芯通过电极与外界高压电相接，所述进气口与出气口连通炉罩外和炉罩内，所述底盘上以底盘中心为圆心依次间隔设置有硅芯同心圆和进气口同心圆，所述进气口和硅芯在每一个同心圆上均呈圆周阵列分布，所述硅芯均设置在距离相邻进气口的中心点处。能够减少硅棒碳含量、减少硅芯各处温差、提高成品硅芯质量的效果。

技术领域

本实用新型涉及一种还原炉，尤其涉及一种高正料比的多晶硅还原炉。

背景技术

超高纯多晶硅包括电子级、区熔级多晶硅，是主要的半导体电子材料，也是国防航空的基础材料，其后续产品广泛应用于电子信息领域。目前国内绝大多数产品仅能够达到太阳能级多晶硅材料标准，而达到一级品及以上的用于电子工业的高质量多晶硅，如用于直拉单晶硅的多晶硅有相当数量需要进口，尤其是区熔用高质量多晶硅原料更是几乎完全依赖进口。国内少量的半导体级的多晶硅用在研磨片，主要用于三极管，但是在IC(集成电路)基本是空白。

目前，国内的还原炉生产出的多晶硅料正料比例只有80％，远不能适用于高质量单晶硅的拉制。改良西门子法生产电子级多晶硅材料，生产运行过程主要系统杂质的增加体现在碳含量的变化以及B含量的控制上，有效控制碳含量增加以及B含量的析出，以达到N型料的目标要求，是获得电子级多晶硅材料的关键技术。

目前的多晶硅还原炉仍由于硅芯各处的反应温度不均匀一致，使得碳含量增加，影响成品硅棒的质量的问题。

实用新型内容

鉴于目前还原炉存在的上述不足，本实用新型提供一种高正料比的多晶硅还原炉，能够减少硅棒碳含量、减少硅芯各处温差、提高成品硅芯质量的效果。

为达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种高正料比的多晶硅还原炉，所述高正料比的多晶硅还原炉包括底盘、设置在底盘上的炉罩、设置在底盘上的电极、设置在炉罩内的硅芯、设置在底盘上的进气口和设置在底盘上的出气口，所述硅芯设置在底盘上，所述电极包括正电极和负电极，所述正电极、负电极和硅芯数量相同、且一一对应，所述硅芯通过电极与外界高压电相接，所述进气口与出气口连通炉罩外和炉罩内，所述硅芯以底盘中心为圆心呈同心圆分布，所述硅芯在每一个同心圆上均呈圆周阵列分布，所述每个同心圆与相邻同心圆之间设置有一圈以底盘为圆心呈圆周阵列分布的进气口，所述硅芯均设置在距离相邻进气口的中心点处。

依照本实用新型的一个方面，所述进气口包括内圈进气口、外圈进气口和中圈进气口，所述进气口均设置在距离硅芯最远处所述硅芯包括内圈硅芯、外圈硅芯和中圈硅芯，所述每一圈硅芯与每一圈进气口呈间隔分布。

依照本实用新型的一个方面，所述底盘上设置有冷却水进出口，所述炉罩上缠绕有冷却水管，所述冷却水管与冷却水进出口相连。

依照本实用新型的一个方面，所述内圈进气口设置有1个，所述中圈进气口设置有4个，所述外圈进气口设置有8个。

依照本实用新型的一个方面，所述内圈硅芯设置有4个，所述中圈硅芯设置有8个，所述外圈硅芯设置有12个。

依照本实用新型的一个方面，所述内圈进气口设置在底盘正中心。

依照本实用新型的一个方面，所述外圈硅芯间距炉罩内壁300mm 以上，所述硅芯之间的间距为260-280mm。

依照本实用新型的一个方面，所述出气口设置有4个，所述出气口呈环形分布。

依照本实用新型的一个方面，所述炉罩上设置有观察视窗。

本实用新型实施的优点：