[实用新型]影像感测组件、影像传感器模组以及电子设备有效
申请号: | 202021493163.5 | 申请日: | 2020-07-24 |
公开(公告)号: | CN212303668U | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 黄成有;胡增新;蔡立酋;彭加琳 | 申请(专利权)人: | 舜宇光学(浙江)研究院有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225 |
代理公司: | 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人: | 安威威;孟湘明 |
地址: | 310052 浙江省杭州市滨江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 组件 传感器 模组 以及 电子设备 | ||
一种影像感测组件、影像传感器模组以及电子设备。该影像感测组件包括至少一影像感测芯片,至少一刚性电路板以及一电性接点组件。该影像感测芯片具有一感测区域。该刚性电路板具有一上表面、一下表面以及贯穿该上表面和该下表面的一镂空部,其中该刚性电路板的该上表面适于对应地安装该镜头组件,以使该镜头组件对准该镂空部,其中该影像感测芯片被电连接地贴装于该刚性电路板的该下表面,并且该影像感测芯片的该感测区域对准于该镂空部。该电性接点组件包括多个电路板电性接点,并且该电路板电性接点被设置于该刚性电路板的该上表面和/或该下表面,用于在贴装该影像感测芯片之后将该柔性电路板电连接于该刚性电路板。
技术领域
本实用新型涉及光学成像技术领域,特别是涉及一种影像感测组件、影像传感器模组以及电子设备。
背景技术
影像传感器模组作为大多数电子设备的标准配置之一,并且影像传感器模组的高成像品质对电子设备朝着高性能的方向发展起着极其重要的作用。而影像传感器模组组装质量的高低又直接影响着模组的成像品质,使得现有技术对模组的组装越来越关注,对组装质量提出了越来越严苛的要求。
目前,应用于可携式电子产品的摄像装置的影像传感器模组,是在电路板上设置影像感测芯片和支架,并在支架上设置玻璃盖板和镜头的装置。现有常用的模组组装方法主要包括COB(Chip On Board;板上芯片封装)、MOB(Molding On Board;板上模塑封装)以及MOC(Molding On Chip;芯片上模塑封装)三种芯片封装工艺方式。该COB工艺和该MOB工艺均是先利用胶水或树脂将芯片胶合固定于电路板上,再利用引线将该芯片与该电路板进行电连接;而该MOC工艺则是先利用引线将该芯片与该电路板进行电连接,再利用模塑工艺将该芯片模塑固定于该电路板上。
然而,现有的三种芯片封装工艺所需要该电路板通常都是软硬结合板,也就是说,在贴装该芯片之前,该电路板就通过诸如压合等方式将软板与硬板相结合以形成具有一体结构的软硬结合板,以便在通过软板与外部电子器件进行电性连接的同时,还能够通过硬板为该芯片提供平整的贴装区域。但正是由于现有的三种芯片封装工艺所需要的电路板是软硬结合板,因此这就会造成该电路板无法批量化生产,更无法在同一设备内完成批量化的芯片封装。换言之,现有的三种芯片封装工艺均无法采用单一设备来完成芯片的封装,这就导致现有的芯片封装设备成本加高,且需要无尘环境和复杂的制程,进而造成模组组装的成本大幅提升。
此外,现有的COB工艺所使用的材料、制程以及工艺,虽然原始出发点是为了节省芯片级封装(CSP)工艺的成本,但在可靠性上却与芯片的应用条件和环境差异甚大,造成现有的COB工艺的封装良率波动较大(通常在85%和95%之间),因此需要挑选再加工,进一步延长制程、提高组装成本。现有的MOB工艺和MOC工艺虽然符合芯片组装条件,但在治具和模具上无法实现共享化、标准化造成的成本优势,并且该MOC工艺还会存在加工清洁问题(这是因为在芯片上模塑时,模塑材料极易污染芯片的感测面)。
实用新型内容
本实用新型的一优势在于提供一影像感测组件、影像传感器模组以及电子设备,其能够优化芯片封装的可靠性、高精度以及一致性,有助于使消费电子等级的封装工艺可符合安防、AR、VR、AIOT应用、航天、车载、工业控制、2D/3D及其混合应用。
本实用新型的另一优势在于提供一影像感测组件、影像传感器模组以及电子设备,其中,在本实用新型的一实施例中,所述影像感测组件能够有效地缩小组装尺寸,有利于应用于微型化的装置和设备。
本实用新型的另一优势在于提供一影像感测组件、影像传感器模组以及电子设备,其中,在本实用新型的一实施例中,所述影像感测组件能够使电路基板的利用率大幅提高,甚至可达到现有的芯片封装工艺的三倍。
本实用新型的另一优势在于提供一影像感测组件、影像传感器模组以及电子设备,其中,在本实用新型的一实施例中,所述影像感测组件能够通过单一设备完成制造,并能够获得高精公差,大幅地提高产品良率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的