[实用新型]半导体补偿冷结构有效
申请号: | 202021497204.8 | 申请日: | 2020-07-25 |
公开(公告)号: | CN212344352U | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 黄晨红 | 申请(专利权)人: | 爱克普传热技术(无锡)有限公司 |
主分类号: | H05K7/20 | 分类号: | H05K7/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 补偿 结构 | ||
1.一种半导体补偿冷结构,其特征在于:包括吸热框(1)、设置在吸热框(1)上的降温板(2)、与降温板(2)连接的压缩机(3);所述吸热框(1)为“口”字型框架且开口方向为水平方向,所述吸热框(1)的侧壁内设有吸热腔一(4),所述吸热腔一(4)为“口”字型,所述吸热腔一(4)内装有冷却液,所述吸热腔一(4)内的冷却液的液位高度位于吸热框(1)的开口的上表面与下表面之间;所述降温板(2)放置在吸热框(1)的上表面,所述降温板(2)内穿设有降温管(5),所述降温管(5)位于降温板(2)内的部分设置为蛇形分布,所述降温管(5)的两端延伸至降温板(2)之外,所述降温管(5)内填充有液态冷媒,所述降温管(5)的两端分别连接有注入管(6)和排出管(7),所述注入管(6)和排出管(7)远离降温管(5)的一端分别与压缩机(3)的输出端和输入端连接。
2.根据权利要求1所述的半导体补偿冷结构,其特征在于:所述吸热框(1)的开口的内底面连接有若干扩容板(10),所述扩容板(10)内设有吸热腔二(11),所述吸热腔二(11)与吸热腔一(4)连通。
3.根据权利要求1所述的半导体补偿冷结构,其特征在于:所述注入管(6)上设有半导体制冷片(12),所述半导体制冷片(12)的制冷面与注入管(6)的管壁接触。
4.根据权利要求3所述的半导体补偿冷结构,其特征在于:所述注入管(6)与半导体制冷片(12)接触的部分设置为蛇形分布。
5.根据权利要求4所述的半导体补偿冷结构,其特征在于:所述半导体制冷片(12)与注入管(6)接触的部分开设有与注入管(6)适配的蛇形槽(13),所述注入管(6)与半导体制冷片(12)接触的部分位于蛇形槽(13)内。
6.根据权利要求1所述的半导体补偿冷结构,其特征在于:所述吸热框(1)的上表面设有定位杆(14),所述定位杆(14)竖直设置,所述降温板(2)的下表面开设有与定位杆(14)适配的定位孔(15),所述定位杆(14)插入到定位孔(15)内。
7.根据权利要求6所述的半导体补偿冷结构,其特征在于:所述定位杆(14)的顶面设置为向上凸出的圆弧面(8)。
8.根据权利要求1所述的半导体补偿冷结构,其特征在于:所述吸热框(1)的两个竖直外侧壁上均设有把手(9)。
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