[实用新型]半导体补偿冷结构有效

专利信息
申请号: 202021497204.8 申请日: 2020-07-25
公开(公告)号: CN212344352U 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 黄晨红 申请(专利权)人: 爱克普传热技术(无锡)有限公司
主分类号: H05K7/20 分类号: H05K7/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 214000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 补偿 结构
【权利要求书】:

1.一种半导体补偿冷结构,其特征在于:包括吸热框(1)、设置在吸热框(1)上的降温板(2)、与降温板(2)连接的压缩机(3);所述吸热框(1)为“口”字型框架且开口方向为水平方向,所述吸热框(1)的侧壁内设有吸热腔一(4),所述吸热腔一(4)为“口”字型,所述吸热腔一(4)内装有冷却液,所述吸热腔一(4)内的冷却液的液位高度位于吸热框(1)的开口的上表面与下表面之间;所述降温板(2)放置在吸热框(1)的上表面,所述降温板(2)内穿设有降温管(5),所述降温管(5)位于降温板(2)内的部分设置为蛇形分布,所述降温管(5)的两端延伸至降温板(2)之外,所述降温管(5)内填充有液态冷媒,所述降温管(5)的两端分别连接有注入管(6)和排出管(7),所述注入管(6)和排出管(7)远离降温管(5)的一端分别与压缩机(3)的输出端和输入端连接。

2.根据权利要求1所述的半导体补偿冷结构,其特征在于:所述吸热框(1)的开口的内底面连接有若干扩容板(10),所述扩容板(10)内设有吸热腔二(11),所述吸热腔二(11)与吸热腔一(4)连通。

3.根据权利要求1所述的半导体补偿冷结构,其特征在于:所述注入管(6)上设有半导体制冷片(12),所述半导体制冷片(12)的制冷面与注入管(6)的管壁接触。

4.根据权利要求3所述的半导体补偿冷结构,其特征在于:所述注入管(6)与半导体制冷片(12)接触的部分设置为蛇形分布。

5.根据权利要求4所述的半导体补偿冷结构,其特征在于:所述半导体制冷片(12)与注入管(6)接触的部分开设有与注入管(6)适配的蛇形槽(13),所述注入管(6)与半导体制冷片(12)接触的部分位于蛇形槽(13)内。

6.根据权利要求1所述的半导体补偿冷结构,其特征在于:所述吸热框(1)的上表面设有定位杆(14),所述定位杆(14)竖直设置,所述降温板(2)的下表面开设有与定位杆(14)适配的定位孔(15),所述定位杆(14)插入到定位孔(15)内。

7.根据权利要求6所述的半导体补偿冷结构,其特征在于:所述定位杆(14)的顶面设置为向上凸出的圆弧面(8)。

8.根据权利要求1所述的半导体补偿冷结构,其特征在于:所述吸热框(1)的两个竖直外侧壁上均设有把手(9)。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱克普传热技术(无锡)有限公司,未经爱克普传热技术(无锡)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021497204.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top