[实用新型]一种光刻机生产用硅半导体的硅晶片腐化池有效
申请号: | 202021502878.2 | 申请日: | 2020-07-27 |
公开(公告)号: | CN213366533U | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 李俊毅;陈舜钦;姚恒裕;林雅芳 | 申请(专利权)人: | 北京新毅东科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 泉州市兴博知识产权代理事务所(普通合伙) 35238 | 代理人: | 易敏 |
地址: | 100000 北京市石景*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光刻 生产 半导体 晶片 腐化 | ||
本实用新型涉及光刻机领域,尤其涉及一种光刻机生产用硅半导体的硅晶片腐化池。本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够加快晶圆腐蚀速度提高生成电路进程的光刻机生产用硅半导体的硅晶片腐化池。一种光刻机生产用硅半导体的硅晶片腐化池,包括有安装筒、腐化剂池、十字放置架、卡接片、驱动组件、出液管和阀门;腐化剂池固接于安装筒顶部;出液管固接于腐化剂池侧壁,且与腐化剂池内连通;阀门固接于出液管;驱动组件固接于安装筒内壁,且输出端贯穿腐化剂池向腐化剂池内延伸。本实用新型达到了加快晶圆腐蚀速度提高生成电路进程的效果。
技术领域
本实用新型涉及光刻机领域,尤其涉及一种光刻机生产用硅半导体的硅晶片腐化池。
背景技术
光刻机,是生产大规模集成电路的核心设备,一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序,通过光刻工艺可以实现将电路刻于硅晶片上,实现半导体电路的集成制作,随着科学技术的飞速发展,也得到了技术改进。普通的光刻机,一般的光刻机生产集成电路的简要步骤生是利用模版去除晶圆表面的保护膜;将晶圆浸泡在腐化剂中,失去保护膜的部分被腐蚀掉后形成电路;用纯水洗净残留在晶圆表面的杂质。将晶圆浸泡于腐化剂中需要使用腐化池,通过腐化池内的腐化剂对晶圆进行腐蚀,以拥有保护膜保护的部分形成电路,但普通的腐化池在腐化过程中,腐化剂腐化晶圆的速度较慢,需要静静等待腐化剂将晶圆腐蚀,消耗大量时间,短时间内腐化容易导致晶圆腐化不完全,形成的电路不清晰和准确,因此亟需研发一种能够加快晶圆腐蚀速度提高生成电路进程的光刻机生产用硅半导体的硅晶片腐化池。
实用新型内容
本实用新型为了克服普通的腐化池在腐化过程中,腐化剂腐化晶圆的速度较慢,需要静静等待腐化剂将晶圆腐蚀,消耗大量时间,短时间内腐化容易导致晶圆腐化不完全,形成的电路不清晰和准确的缺点,本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够加快晶圆腐蚀速度提高生成电路进程的光刻机生产用硅半导体的硅晶片腐化池。
本实用新型由以下具体技术手段所达成:
一种光刻机生产用硅半导体的硅晶片腐化池,包括有安装筒、腐化剂池、十字放置架、卡接片、驱动组件、出液管和阀门;腐化剂池固接于安装筒顶部;出液管固接于腐化剂池侧壁,且与腐化剂池内连通;阀门固接于出液管;驱动组件固接于安装筒内壁,且输出端贯穿腐化剂池向腐化剂池内延伸;十字放置架与驱动组件输出端传动连接;卡接片依次固接于十字放置架端部。
进一步的,驱动组件包括有滑轨、承重架、滑块、螺母、密封轴承、螺杆和驱动电机;滑轨固接于安装筒内底面;承重架通过滑块与滑轨滑动连接;螺母固接于滑轨;驱动电机固接于承重架顶部;密封轴承嵌于腐化剂池底面;螺杆底部与驱动电机输出端传动连接,顶部与螺母螺接,且贯穿螺母、密封轴承向腐化剂池内延伸;十字放置架固接于螺杆顶部。
进一步的,该光刻机生产用硅半导体的硅晶片腐化池的安装筒上均匀开设有散热孔。
进一步的,所述驱动电机为伺服电机。
进一步的,所述螺杆为玻璃钢制品,且外壁包裹一层保护膜。
与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:
本实用新型达到了加快晶圆腐蚀速度提高生成电路进程的效果,通过十字放置架可方便外部机械手拿取,同时十字放置架上设置有卡接片,能够避免晶圆片从十字放置架上掉落,腐化剂对晶圆片进行腐蚀时,腐蚀速度慢,腐蚀效果较低,因此设置了驱动组件,驱动组件能够将十字放置架进行旋转,并且旋转过程中,十字放置架会带动晶圆片向腐化剂池下方不断上下移动,通过上下移动的晶圆片伴随旋转效果,让流动的腐化剂充分接触晶圆片,以提高腐化速度,让晶圆片能够达到加快腐蚀的作用,而腐蚀完毕后,驱动组件会将十字放置架台出腐化剂池,以方便外部机械手拿取。
附图说明
图1为本实用新型的第一种立体结构示意图。
图2为本实用新型的主视结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造