[实用新型]一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销有效
| 申请号： | 202021504088.8 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN212380409U | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 李得平;王虎斌;黄中山;张建锐 | 申请（专利权）人： | 盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;B24B19/22;B28B1/54 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 俞晨波 |
| 地址： | 315100 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体设备 铝制 加热器 盖板 陶瓷 提升 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，包括销杆(1)和销帽(2)，其特征在于：所述销帽(2)连接在销杆(1)的一端，所述销杆(1)和销帽(2)同轴连接，所述销杆(1)和销帽(2)为陶瓷材料一体成型结构，且销帽(2)、销杆(1)均呈圆柱状，所述销帽(2)的外壁直径大于销杆(1)的外壁直径。
2.根据权利要求1所述的一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，其特征在于：所述销帽(2)的外壁直径为3.5mm-3.8mm，所述销杆(1)的外壁直径为3.1mm-3.2mm。
3.根据权利要求2所述的一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，其特征在于：所述销帽(2)的外壁直径为3.5mm，所述销杆(1)的外壁直径为3.1mm。
4.根据权利要求2所述的一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，其特征在于：所述销帽(2)的外壁直径为3.677mm，所述销杆(1)的外壁直径为3.182mm。
5.根据权利要求2所述的一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，其特征在于：所述销帽(2)的外壁直径为3.8mm，所述销杆(1)的外壁直径为3.2mm。
6.根据权利要求1所述的一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，其特征在于：所述销杆(1)和销帽(2)的总长度为79.954mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
