[实用新型]一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销有效
申请号: | 202021504088.8 | 申请日: | 2020-07-27 |
公开(公告)号: | CN212380409U | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 李得平;王虎斌;黄中山;张建锐 | 申请(专利权)人: | 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;B24B19/22;B28B1/54 |
代理公司: | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人: | 俞晨波 |
地址: | 315100 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体设备 铝制 加热器 盖板 陶瓷 提升 | ||
本实用新型公开的属于半导体技术领域,具体为一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销,包括销杆和销帽,所述销帽连接在销杆的一端,所述销杆和销帽同轴连接,所述销杆和销帽为陶瓷材料一体成型结构,且销帽、销杆均呈圆柱状,所述销帽的外壁直径大于销杆的外壁直径,该半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的制备方法步骤如下:S1:注入模具;S2:打磨成型。在陶瓷提升销的顶端加宽销帽的直径,使它跟加热器盖板的直径相接近,防止制程过程中有大量气体从销帽跟加热器盖板孔缝隙流入带走一些热量,预防销帽处温度较低,钽酸锂晶圆提升销点位置厚度低的问题。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,具体为一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销。
背景技术
钽酸锂、铌酸锂晶圆是一种重要的功能材料,它具有压电性、介电性、热释电性以及电光效应、非线性光学效应和声光效应等重要特性,在航空航天,通信技术、国防等领域得到广泛应用,如压控滤波器、声表面波(SAW)滤波器、窄带滤波器、光子可调滤波器等重要的新型元器件。
由于起升销孔与加热器和盖板销孔间距太大,导致提升销无法快速的升温。不同的温度区域导致不同的厚度,钽酸锂晶圆片对温度很敏感,导致钽酸锂晶圆片靠四个提升销点位置表面沉积后都会变色异常。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销,以解决上述背景技术中提出的由于起升销孔与加热器和盖板销孔间距太大,导致提升销无法快速的升温。不同的温度区域导致不同的厚度,钽酸锂、铌酸锂晶圆片对温度很敏感,导致钽酸锂、铌酸锂晶圆片靠四个提升销点位置表面沉积后都会变色异常的问题。
在陶瓷提升销的顶端加宽销帽的直径,使它跟加热器盖板的直径相接近,防止制程过程中有大量气体从销帽跟加热器盖板孔缝隙流入带走一些热量,预防销帽处温度较低,钽酸锂、铌酸锂晶圆提升销点位置厚度低的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销,包括销杆和销帽,所述销帽连接在销杆的一端,所述销杆和销帽同轴连接,所述销杆和销帽为陶瓷材料一体成型结构,且销帽、销杆均呈圆柱状,所述销帽的外壁直径大于销杆的外壁直径。
优选的,所述销帽的外壁直径为3.5mm-3.8mm,所述销杆的外壁直径为3.1mm-3.2mm。
优选的,所述销帽的外壁直径为3.5mm,所述销杆的外壁直径为3.1mm。
优选的,所述销帽的外壁直径为3.677mm,所述销杆的外壁直径为3.182mm。
优选的,所述销帽的外壁直径为3.8mm,所述销杆的外壁直径为3.2mm。
优选的,所述销杆和销帽的总长度为79.954mm。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1)在陶瓷提升销的顶端加宽销帽的直径,使它跟加热器盖板的直径相接近,防止制程过程中有大量气体从销帽跟加热器盖板孔缝隙流入带走一些热量,预防销帽处温度较低,钽酸锂晶圆提升销点位置厚度低的问题;
2)减少热量散失,保证产品的质量。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为现有陶瓷提升销与加热器盖板配合的结构示意图;
图3为耐高温胶带块堵住加热器盖板的结构示意图;
图4为本实用新型与加热器盖板配合使用时的结构示意图;
图5为本实用新型制备方法流程图。
图中:1销杆、2销帽、3加热器盖板、4加热器、5限位挡圈。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造