[实用新型]基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及T/R组件

权利要求书

1.基于HTCC工艺的三维垂直互联结构，其特征在于：包括基板组和两个微带线，所述基板组上设置有由上至下垂直贯穿所述基板组的信号传输通孔、以及环绕所述信号传输通孔设置的多个屏蔽通孔，多个所述屏蔽通孔与所述信号传输通孔形成类同轴结构，用于屏蔽电磁干扰，多个所述屏蔽通孔和所述信号传输通孔内分别填充有导电体，两个所述微带线通过位于所述信号传输通孔内的导电体实现信号传输。

2.如权利要求1所述的基于HTCC工艺的三维垂直互联结构，其特征在于：所述基板组包括层叠设置的多个基板，每个所述基板的上表面和下表面上均设置有金属化层，其中用于接地的金属化层上开设有沿厚度方向贯穿相应金属化层的通孔，所述通孔与所述信号传输通孔同轴设置，所述通孔的直径大于所述信号传输通孔的直径，且所述通孔的侧壁与相应导电体的裸露部分的侧壁之间形成等效电容。

3.如权利要求1所述的基于HTCC工艺的三维垂直互联结构，其特征在于：所述基板组的上表面和下表面上均设置有向内凹陷、用于安装相应所述微带线的安装槽。

4.如权利要求3所述的基于HTCC工艺的三维垂直互联结构，其特征在于：位于上方的所述微带线的顶面与所述基板组的上表面齐平，位于下方的所述微带线的底面与所述基板组的下表面齐平。

5.如权利要求3所述的基于HTCC工艺的三维垂直互联结构，其特征在于：所述安装槽包括位于多个所述屏蔽通孔围成的空腔内的圆形部、以及与所述圆形部连通的平直部，所述平直部沿所述圆形部的径向延伸至所述基板组的侧面。

6.如权利要求1所述的基于HTCC工艺的三维垂直互联结构，其特征在于：所述基板组上还设置有由上至下贯穿所述基板组的接地通孔，所述接地通孔位于多个屏蔽通孔围成的空腔外。

7.如权利要求1-6任一项所述的基于HTCC工艺的三维垂直互联结构，其特征在于：所述基于HTCC工艺的三维垂直互联结构为适于0-20GHz信号传输的第一结构体，或适于20-40GHz信号传输的第二结构体，当所述基于HTCC工艺的三维垂直互联结构为第一结构体时，所述微带线为适于0-20GHz信号传输的第一线体；当所述基于HTCC工艺的三维垂直互联结构为第二结构体时，所述微带线为适于20-40GHz信号传输的第二线体。

8.T/R组件，其特征在于：包括权利要求1-7任一项所述的基于HTCC工艺的三维垂直互联结构。