[实用新型]基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及T/R组件

说明书

本实用新型提供了一种基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及T/R组件，属于微波毫米波及太赫兹技术领域。基于HTCC工艺的三维垂直互联结构包括基板组和两个微带线，基板组上设置有由上至下垂直贯穿基板组的信号传输通孔、以及环绕信号传输通孔设置的多个屏蔽通孔，多个屏蔽通孔与信号传输通孔形成类同轴结构，用于屏蔽电磁干扰，多个屏蔽通孔和信号传输通孔内分别填充有导电体，两个微带线通过位于信号传输通孔内的导电体实现信号传输。本实用新型还提供了一种T/R组件。本实用新型提供的基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及T/R组件，有效降低了信号泄漏风险，避免了外界电磁干扰对微波信号传输造成不良影响。

技术领域

本实用新型属于微波毫米波及太赫兹技术领域，更具体地说，是涉及一种基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及T/R组件。

背景技术

随着单片微波集成电路和组装互联技术的快速发展，有源相控阵技术在电子装备中得到越来越广泛的应用。先进的相控阵天线需要大量重量轻、体积小、高可靠和低成本的微波组件，推动微波电路技术向单片微波集成电路、多芯片模块和三维集成电路方向发展。在三维微波组件的研制中，迫切需要新材料、新封装和新互联工艺。垂直互联作为三维集成封装的关键技术之一，是实现组件小型化的重要途径。

目前，普遍采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术、MEMS体硅工艺来制作高密度T/R组件一体化基板，并将其放置在金属外壳中以起到机械防护、电磁屏蔽和气密封装的作用。随着T/R组件不断向小型化、轻量化方向的进一步发展，这种金属外壳的封装形式越来越显示出局限性。在微波甚至更高的频段，垂直互联结构会出现电不连续性效应，引起较强的电磁辐射和耦合，造成微波信号传输时的强反射及高插损。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的在于提供一种基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及T/R组件，旨在解决目前的垂直互联结构会出现电不连续性效应，引起较强的电磁辐射和耦合，造成微波信号传输时的强反射及高插损的技术问题。

一方面，提供了一种基于HTCC工艺的三维垂直互联结构，包括基板组和两个微带线，所述基板组上设置有由上至下垂直贯穿所述基板组的信号传输通孔、以及环绕所述信号传输通孔设置的多个屏蔽通孔，多个所述屏蔽通孔与所述信号传输通孔形成类同轴结构，用于屏蔽电磁干扰，多个所述屏蔽通孔和所述信号传输通孔内分别填充有导电体，两个所述微带线通过位于所述信号传输通孔内的导电体实现信号传输。

进一步地，所述基板组包括层叠设置的多个基板，每个所述基板的上表面和下表面上均设置有金属化层，其中用于接地的金属化层上开设有沿厚度方向贯穿相应金属化层的通孔，所述通孔与所述信号传输通孔同轴设置，所述通孔的直径大于所述信号传输通孔的直径，且所述通孔的侧壁与相应导电体的裸露部分的侧壁之间形成等效电容。

进一步地，所述基板组的上表面和下表面上均设置有向内凹陷、用于安装相应所述微带线的安装槽。

进一步地，位于上方的所述微带线的顶面与所述基板组的上表面齐平，位于下方的所述微带线的底面与所述基板组的下表面齐平。

进一步地，所述安装槽包括位于多个所述屏蔽通孔围成的空腔内的圆形部、以及与所述圆形部连通的平直部，所述平直部沿所述圆形部的径向延伸至所述基板组的侧面。

进一步地，所述基板组上还设置有由上至下贯穿所述基板组的接地通孔，所述接地通孔位于多个屏蔽通孔围成的空腔外。

进一步地，所述基于HTCC工艺的三维垂直互联结构为适于0-20GHz信号传输的第一结构体，或适于20-40GHz信号传输的第二结构体，当所述基于HTCC工艺的三维垂直互联结构为第一结构体时，所述微带线为适于0-20GHz信号传输的第一线体；当所述基于HTCC工艺的三维垂直互联结构为第二结构体时，所述微带线为适于20-40GHz信号传输的第二线体。