[实用新型]防漏光的金属氧化物阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种防漏光的金属氧化物阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的器件层和设置在所述器件层上的保护层，所述保护层上设置有限位槽，所述限位槽和所述防漏光的金属氧化物阵列基板的非显示区在所述衬底基板的厚度方向上具有重叠区域，所述限位槽用于容置隔垫物，并限制所述隔垫物相对于防漏光的金属氧化物阵列基板的相对位置。

2.根据权利要求1所述的防漏光的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述器件层包括薄膜晶体管、扫描线和数据线，所述薄膜晶体管包括在所述衬底基板上依次设置的栅极、缓冲层、半导体图形、源极和漏极，所述栅极与所述扫描线电连接，所述源极与所述数据线电连接。

3.根据权利要求2所述的防漏光的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述限位槽和所述扫描线在所述衬底基板的厚度方向上具有重叠区域。

4.根据权利要求3所述的防漏光的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述扫描线对应于所述限位槽的区域的线宽大于5μm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的防漏光的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述限位槽的槽壁与所述隔垫物的侧壁边缘的距离大于2μm。

6.根据权利要求2-4任一项所述的防漏光的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述半导体图形包括依次设置的第一金属氧化物半导体层和第二金属氧化物半导体层；

所述第一金属氧化物半导体层包括非晶氧化物半导体或者多晶氧化物半导体，所述第二金属氧化物半导体层包括耐腐蚀型金属氧化物半导体。

7.根据权利要求6所述的防漏光的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体层的厚度是所述第二金属氧化物半导体层厚度的2-10倍。

8.根据权利要求1-4任一项所述的防漏光的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述保护层包括有机绝缘层，所述有机绝缘层为有机化合物。

9.根据权利要求8所述的防漏光的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述保护层还包括无机绝缘层，所述无机绝缘层位于所述有机绝缘层的上方，所述无机绝缘层为氮化硅或者氧化硅或者氮化硅和氧化硅的叠层结构。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的防漏光的金属氧化物阵列基板。