[实用新型]防漏光的金属氧化物阵列基板及显示面板有效
申请号: | 202021508544.6 | 申请日: | 2020-07-27 |
公开(公告)号: | CN212625578U | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 刘翔 | 申请(专利权)人: | 成都中电熊猫显示科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 黄溪;臧建明 |
地址: | 610200 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 漏光 金属 氧化物 阵列 显示 面板 | ||
本实用新型提供了一种防漏光的金属氧化物阵列基板及显示面板。本实用新型提供的防漏光的金属氧化物阵列基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的器件层和设置在器件层上的保护层,保护层上设置有限位槽,限位槽和阵列基的非显示区在衬底基板的厚度方向上具有重叠区域,限位槽用于容置隔垫物,并限制隔垫物相对于防漏光的金属氧化物阵列基板的相对位置,从而在显示面板受到压迫时,有效阻止了隔垫物的滑动,解决了因隔垫物滑动导致的漏光问题。
技术领域
本实用新型涉及平面显示技术领域,尤其涉及一种防漏光的金属氧化物阵列基板及显示面板。
背景技术
平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display,LCD)及有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display,OLED),而平面显示器通常由上层基板和下层基板对合并形成,两基板之间的间距是影响显示器件质量的重要因素。
目前,为了保证上层基板和下层基板之间的间隙,主要采用在两基板之间加入一定厚度的隔垫物的方式,常用的隔垫物有柱形隔垫物(Post Spacer,PS),其中,柱形隔垫物主要是通过构图工艺设置在上层基板上,这样可以精确控制柱形隔垫物的位置,从而通过柱形隔垫物的高度控制上层基板和下层基板之间的间隙。
然而,现有技术中,显示面板在受到外力时,上层基板和下层基板会相对产生偏移,造成柱形隔垫物的滑动,导致漏光。
实用新型内容
本实用新型提供了一种防漏光的金属氧化物阵列基板及显示面板,可以有效阻止显示面板受到外力时柱形隔垫物的滑动,消除了漏光现象。
第一方面,本实用新型提供了一种防漏光的金属氧化物阵列基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的器件层和设置在器件层上的保护层,保护层上设置有限位槽,限位槽和防漏光的金属氧化物阵列基板的非显示区在衬底基板的厚度方向上具有重叠区域,限位槽用于容置隔垫物,并限制隔垫物相对于防漏光的金属氧化物阵列基板的相对位置,从而避免隔垫物相对阵列基板滑动,造成漏光现象。
作为一种可选的方式,本实用新型提供的防漏光的金属氧化物阵列基板,器件层包括薄膜晶体管、扫描线和数据线,薄膜晶体管包括在衬底基板上依次设置的栅极、缓冲层、半导体图形、源极和漏极,栅极与扫描线电连接,源极与数据线电连接。
作为一种可选的方式,本实用新型提供的防漏光的金属氧化物阵列基板,限位槽和扫描线在衬底基板的厚度方向上具有重叠区域。
作为一种可选的方式,本实用新型提供的防漏光的金属氧化物阵列基板,扫描线对应于限位槽的区域的线宽大于5μm,优选的扫描线对应于限位槽的区域的线宽为5um~8um。
作为一种可选的方式,本实用新型提供的防漏光的金属氧化物阵列基板,限位槽的槽壁与隔垫物的侧壁边缘的距离大于2μm。
作为一种可选的方式,本实用新型提供的防漏光的金属氧化物阵列基板,半导体图形包括依次设置的第一金属氧化物半导体层和第二金属氧化物半导体层.
作为一种可选的方式,本实用新型提供的防漏光的金属氧化物阵列基板,第一金属氧化物半导体层包括非晶氧化物半导体或者多晶氧化物半导体,第二金属氧化物半导体层包括耐腐蚀型金属氧化物半导体。
作为一种可选的方式,本实用新型提供的防漏光的金属氧化物阵列基板,第一金属氧化物半导体层的厚度是第二金属氧化物半导体层厚度的2-10倍。
作为其中一种可选的方式,本实用新型提供的防漏光的金属氧化物阵列基板,保护层包括有机绝缘层,有机绝缘层为有机化合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的