[实用新型]基于漂浮电极的硅像素探测器有效
| 申请号： | 202021517270.7 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN212257400U | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 伍朝晟;李正;肖永光 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/02 |
| 代理公司： | 长沙新裕知识产权代理有限公司 43210 | 代理人： | 刘加 |
| 地址： | 411105 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 漂浮 电极 像素 探测器 | ||
1.基于漂浮电极的硅像素探测器，其特征在于，包括长方体状的硅基体(5)，硅基体(5)顶面中间设有正方形的收集阴极(1)，收集阴极(1)周围的硅基体(5)顶面设有第一漂浮电极环(2)和第二漂浮电极环(3)，收集阴极(1)、第一漂浮电极环(2)和第二漂浮电极环(3)的中心相同，收集阴极(1)顶面设有金属铝(7)，金属铝(7)周围的硅基体(5)顶面、第一漂浮电极环(2)顶面、第二漂浮电极环(3)顶面均设有二氧化硅层(4)，硅基体(5)底面依次设有阳极层(6)和金属铝(7)；
所述第一漂浮电极环(2)和第二漂浮电极环(3)的宽度相同，所述收集阴极(1)与第一漂浮电极环(2)之间、第一漂浮电极环(2)和第二漂浮电极环(3)之间的间距相同。
2.根据权利要求1所述的基于漂浮电极的硅像素探测器，其特征在于，所述硅基体(5)的长×宽×高为80μm×80μm×300μm，收集阴极(1)的顶面边长为15μm，第一漂浮电极环(2)与第二漂浮电极环(3)的宽度均为10μm，收集阴极(1)与第一漂浮电极环(2)的间距、第一漂浮电极环(2)与第二漂浮电极环(3)的间距均为5μm。
3.根据权利要求1所述的基于漂浮电极的硅像素探测器，其特征在于，收集阴极(1)、第一漂浮电极环(2)、第二漂浮电极环(3)与阳极层(6)的厚度均为1μm，金属铝(7)和二氧化硅层(4)的厚度均为1μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
