[实用新型]功率模块封装结构

说明书

本实用新型提供了一种功率模块封装结构，包括：底板；基板，基板设置于底板上，基板上设有半导体芯片放置区域；半导体芯片，半导体芯片对应设置于基板上的半导体芯片放置区域；封装胶，封装胶包裹基板和半导体芯片；壳体；盖板，盖板、壳体和底板构成封装外壳，封装基板、半导体芯片和封装胶；密封胶，密封胶设置于盖板与壳体，以及壳体与底板之间的结合处。本实用新型能够防止外部腐蚀性气体的侵入，从而能够有效避免功率模块被腐蚀损坏，以提高功率模块在腐蚀性环境下的使用寿命，此外，还能够隔绝封装胶与密封胶，从而能够避免因封装胶与密封胶之间CTE不匹配导致的绝缘失效，以提高功率模块的可靠性。

技术领域

本实用新型涉及半导体功率模块技术领域，具体涉及一种功率模块封装结构。

背景技术

目前，半导体功率模块广泛用于电气传动、电机控制等工业控制领域，以及汽车驱动和混合动力、风能、焊机、机车牵引等驱动控制领域，主要用于将输入的直流电转变为三相交流电输出，作为各种开关电源。但是，传统的半导体功率模块，通常在壳体内部使用硅凝胶作为封装材料，并且封装壳体的并没有完全密封，往往导致如高湿、以及含硫等气体与封装壳体内的金属部件发生反应，最终导致半导体功率模块失效。

此外，传统的半导体功率模块，也有部分使用硅凝胶和环氧树脂进行双层封装，但是却缺乏必要的结构将硅凝胶和环氧树脂进行隔绝，往往因两者C TE(coefficient ofthermal expansion，即热膨胀系数)不匹配导致内部硅凝胶被带起，产生绝缘失效。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决上述技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的目的在于提出一种功率模块封装结构，能够防止外部腐蚀性气体的侵入，从而能够有效避免功率模块被腐蚀损坏，以提高功率模块在腐蚀性环境下的使用寿命，此外，还能够隔绝封装胶与密封胶，从而能够避免因封装胶与密封胶之间CTE不匹配导致的绝缘失效，以提高功率模块的可靠性。

为达到上述目的，本实用新型实施例提出了一种功率模块封装结构，包括；底板；基板，所述基板设置于所述底板上，所述基板上设有半导体芯片放置区域；半导体芯片，所述半导体芯片对应设置于所述基板上的半导体芯片放置区域；封装胶，所述封装胶包裹所述基板和所述半导体芯片；壳体；盖板，所述盖板、所述壳体和所述底板构成封装外壳，封装所述基板、所述半导体芯片和所述封装胶；密封胶，所述密封胶设置于所述盖板与所述壳体，以及所述壳体与所述底板之间的结合处。

根据本实用新型实施例提出的功率模块封装结构，通过设置底板、基板、半导体芯片、封装胶、壳体、盖板和密封胶，其中，基板设置于底板上，基板上设有半导体芯片放置区域，半导体芯片对应设置于基板上的半导体芯片放置区域，封装胶包裹基板和半导体芯片，盖板、壳体和底板构成封装外壳，以封装基板、半导体芯片和封装胶，密封胶设置于盖板与壳体，以及壳体与底板之间的结合处，由此，能够防止外部腐蚀性气体的侵入，从而能够有效避免功率模块被腐蚀损坏，以提高功率模块在腐蚀性环境下的使用寿命，此外，还能够隔绝封装胶与密封胶，从而能够避免因封装胶与密封胶之间CTE不匹配导致的绝缘失效，以提高功率模块的可靠性。

另外，根据本实用新型上述实施例提出的功率模块封装结构还可以具有如下附加的技术特征：

进一步地，所述的功率模块封装结构，还包括键合线，所述键合线连接所述半导体芯片和所述基板。

进一步地，所述的功率模块封装结构，还包括金属端子，所述金属端子设置于所述壳体中，所述金属端子一端与所述基板相连，所述金属端子的另一端延伸出所述壳体。

根据本实用新型的一个实施例，所述基板为DBC基板。

根据本实用新型的一个实施例，所述半导体芯片为IGBT芯片。

根据本实用新型的一个实施例，所述封装胶为硅凝胶。

根据本实用新型的一个实施例，所述密封胶为环氧树脂。