[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 202021524866.X | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN213026136U | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛;葛薇薇 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/40;H01L29/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底和位于所述衬底上的体区，所述体区的上表面包括依次连接的集电区、基区和发射区，其中，
在所述集电区和所述基区区域中包括场氧区，在所述场氧区上包括场板结构，所述场板结构为阶梯场板结构，在所述集电区和所述基区区域中提供不同规格的调节电场。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
在所述半导体器件的纵截面上，所述集电区的尺寸大于所述基区的尺寸。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，
在所述半导体器件的纵截面上，所述基区的尺寸大于所述发射区尺寸。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，
在所述半导体器件的纵截面上，所述集电区和所述基区呈L形嵌套设置，所述发射区嵌套在所述基区的L形包围空间中。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述基区与基极电连接，所述场板结构与所述基极电连接。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述发射区连接导线电引出为所述半导体器件的发射极。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述集电区包括位于上表面的集电极引出区，所述基区上表面包括基极引出区，所述场氧区位于所述集电极引出区与所述基极引出区之间，隔离所述集电极引出区与所述基极引出区。
8.根据权利要求1或4所述的半导体器件，其特征在于，
在所述半导体器件的俯视面上，所述场板结构的投影区域与所述基区和所述集电区均相交。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述半导体器件为NPN型双极结型晶体管或PNP型双极结型晶体管。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述场氧区上还包括氧化物区，所述场板结构位于所述氧化物区上。
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