[实用新型]半导体器件

说明书

公开了一种半导体器件，包括衬底和位于衬底上的体区，体区上表面包括依次连接的集电区、基区和发射区，在集电区和基区区域中包括场氧区，在该场氧区上包括场板结构，该场板结构为阶梯场板结构。本实用新型的半导体器件的场板结构在集电区与基区之间的PN结反偏时，可以调节集电区电场，辅助耗尽集电区，在不影响集电区的尺寸和掺杂浓度的情况下，提升器件的耐压，并且阶梯场板结构在集电区和基区区域中提供不同规格的调节电场，针对不同位置提供不同的调节电场，提升了场板结构的应用效果，提升器件性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件。

背景技术

BJT(Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体管)器件为一种常用的半导体器件，包括基地、集电极和发射极，一般工作在低压情况下，例如集电极接5V电压，基极接一电流，在发射极输出电流，有时需要将BJT器件应用在高压场合，提升集电极电压，集电极电压提升就需要提升集电极与基极之间的耐压，即BJT器件的共基极组态的击穿电压BVcbo(发射极开路时，基极与集电极之间所能承受的最高反向电压)。

在传统技术中，提升BVcbo一般采用降低集电区掺杂浓度或制作更大的集电区来提升耐压，降低集电区掺杂浓度会影响BJT器件的电流能力，制作更大的集电区域会增大器件体积，占用芯片面积。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型的目的在于提供一种半导体器件，从而在不改变集电区域的掺杂浓度和芯片占用面积的情况下提升器件性能。

根据本实用新型的一方面，提供一种半导体器件，包括：

衬底和位于所述衬底上的体区，所述体区的上表面包括依次连接的集电区、基区和发射区，其中，

在所述集电区和所述基区区域中包括场氧区，在所述场氧区上包括场板结构，所述场板结构为阶梯场板结构，在所述集电区和所述基区区域中提供不同规格的调节电场。

可选地，在所述半导体器件的纵截面上，所述集电区的尺寸大于所述基区的尺寸。

可选地，在所述半导体器件的纵截面上，所述基区的尺寸大于所述发射区尺寸。

可选地，在所述半导体器件的纵截面上，所述集电区和所述基区呈L型嵌套设置，所述发射区嵌套在所述基区的L型包围空间中。

可选地，所述基区与基极电连接，所述场板结构与所述基极电连接。

可选地，所述发射区连接导线电引出为所述半导体器件的发射极。

可选地，所述集电区包括位于上表面的集电极引出区，所述基区上表面包括基极引出区，所述场氧区位于所述集电极引出区与所述基极引出区之间，隔离所述集电极引出区与所述基极引出区。

可选地，在所述半导体器件的俯视面上，所述场板结构的投影区域与所述基区和所述集电区均相交。

可选地，所述半导体器件为NPN型双极结型晶体管或PNP型双极结型晶体管。

可选地，所述场氧区上还包括氧化物区，所述场板结构位于所述氧化物区上，所述氧化物区为厚氧化物层。

本实用新型提供的半导体器件包括衬底和位于衬底上的体区，体区上表面包括依次连接的集电区、基区和发射区，在集电区和基区区域中包括场氧区，在该场氧区上包括场板结构，该场板结构为阶梯场板结构，在集电区与基区之间的PN结反偏时，场板结构在集电区和基区区域中提供不同规格的调节电场，对不同的位置提供不同的调节电场调节集电区电场，辅助提升场板结构耗尽集电区的效果，提升器件的耐压，提升性能。

提高集电区尺寸，提高集电区的载流子浓度，提高器件的电流能力，降低沟道电阻，提升耐压。

降低发射区尺寸，为集电区提供尺寸拓展空间，保障集电区尺寸的提升，提升器件性能。