[实用新型]一种防水性能高的半导体

权利要求书

1.一种防水性能高的半导体，包括半导体外壳(1)，其特征在于：所述半导体外壳(1)的左侧设置有阳极引线(2)，所述阳极引线(2)的右侧电性连接有金属触丝(3)，所述金属触丝(3)的另一端电性连接有N型锗片(4)，所述N型锗片(4)的另一侧电性连接有阴极引线(5)，所述半导体外壳(1)的表面设置有防护层(6)，所述防护层(6)包括耐腐蚀层(61)、防水层(62)、散热层(63)、加强层(64)和绝缘层(65)，所述耐腐蚀层(61)的底部设置有防水层(62)，所述防水层(62)的底部设置有散热层(63)，所述散热层(63)的底部设置有加强层(64)，所述加强层(64)的底部设置有绝缘层(65)。

2.根据权利要求1所述的一种防水性能高的半导体，其特征在于：所述耐腐蚀层(61)的材质为三元乙丙橡胶，所述绝缘层(65)的材质为高分子交联聚乙烯。

3.根据权利要求1所述的一种防水性能高的半导体，其特征在于：所述防水层(62)为聚氨酯防水涂料，所述防水层(62)涂覆在散热层(63)的表面。

4.根据权利要求1所述的一种防水性能高的半导体，其特征在于：所述散热层(63)的材质为石墨烯，所述散热层(63)的厚度在五十至一百微米之间。

5.根据权利要求1所述的一种防水性能高的半导体，其特征在于：所述加强层(64)是绝缘金属编织的网状层，所述加强层(64)嵌入在绝缘层(65)的顶部。