[实用新型]一种防水性能高的半导体

说明书

本实用新型公开了一种防水性能高的半导体，包括半导体外壳，所述半导体外壳的左侧设置有阳极引线，所述阳极引线的右侧电性连接有金属触丝，所述金属触丝的另一端电性连接有N型锗片，所述N型锗片的另一侧电性连接有阴极引线，所述半导体外壳的表面设置有防护层，防护层包括耐腐蚀层、防水层、散热层、加强层和绝缘层。本实用新型通过设计耐腐蚀层，避免空气中的酸性液体腐蚀防水层，提高半导体的使用寿命，通过设计防水层，避免空气的水分渗透进入半导体的内腔，提高防水效果，通过设计散热层，导热系数高的材质可以加快热量的传递，避免热量堆积烧坏半导体，从而达到防水性能高的效果，解决了现有半导体防水性能差的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体为一种防水性能高的半导体。

背景技术

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的，大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种，现有的半导体防水性能较差，容易被空气的水分渗透，从而导致半导体的损坏。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种防水性能高的半导体，具备防水性能高的优点，解决了现有半导体防水性能差的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种防水性能高的半导体，包括半导体外壳，所述半导体外壳的左侧设置有阳极引线，所述阳极引线的右侧电性连接有金属触丝，所述金属触丝的另一端电性连接有N型锗片，所述N型锗片的另一侧电性连接有阴极引线，所述半导体外壳的表面设置有防护层，所述防护层包括耐腐蚀层、防水层、散热层、加强层和绝缘层，所述耐腐蚀层的底部设置有防水层，所述防水层的底部设置有散热层，所述散热层的底部设置有加强层，所述加强层的底部设置有绝缘层。

优选的，所述耐腐蚀层的材质为三元乙丙橡胶，所述绝缘层的材质为高分子交联聚乙烯。

优选的，所述防水层为聚氨酯防水涂料，所述防水层涂覆在散热层的表面。

优选的，所述散热层的材质为石墨烯，所述散热层的厚度在五十至一百微米之间。

优选的，所述加强层是绝缘金属编织的网状层，所述加强层嵌入在绝缘层的顶部。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

1、本实用新型通过设计耐腐蚀层，避免空气中的酸性液体腐蚀防水层，提高半导体的使用寿命，通过设计防水层，避免空气的水分渗透进入半导体的内腔，提高防水效果，通过设计散热层，导热系数高的材质可以加快热量的传递，避免热量堆积烧坏半导体，从而达到防水性能高的效果，解决了现有半导体防水性能差的问题。

2、本实用新型通过设计绝缘层，避免相邻两个半导体之间的磁场相互影响，保证半导体的传递效率，通过设计加强层，提高半导体的结构强度，同时能够使半导体在挤压后，能够很好恢复原状，而且网状结构在纵向和横向都有较强的抗拉扯性能。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型防水层结构主视剖面图；

图3为本实用新型结构主视剖面图。

图中：1、半导体外壳；2、阳极引线；3、金属触丝；4、N型锗片；5、阴极引线；6、防护层；61、耐腐蚀层；62、防水层；63、散热层；64、加强层；65、绝缘层。

具体实施方式