[实用新型]一种便于键合的IGBT芯片

说明书

本实用新型公开了一种便于键合的IGBT芯片，包括芯片本体，所述芯片本体的顶部固定连接有一体式腔盖，所述一体式腔盖顶部的四周焊接有上铜柱，所述芯片本体的顶部焊接有下铜柱，所述一体式腔盖的底部固定连接有导热硅脂，所述导热硅脂的底部固定连接有倒装芯片，所述倒装芯片的外侧填充有底部填充剂，所述一体式腔盖的底部安装有BT基板，通过在芯片本体设置有一体式腔盖便于对芯片内部的拆卸，在一体式腔盖的顶部焊接有上铜柱与芯片本体顶部焊接的下铜柱呈梯形对称，且铜柱间的间距较大，便于键合机的有效键合，键合机对芯片的键合是高精度作业，由于键合引线本身较为柔弱故而在加大铜柱间间距，其倒装芯片，可以加强芯片本体的信号源输出。

技术领域

本实用新型涉及IGBT芯片键合技术领域，具体为一种便于键合的IGBT 芯片。

背景技术

IGBT芯片在结构上是由数万个元胞(重复单元)组成，工艺上采用大规模集成电路技术和功率器件技术制造而成。每个元胞结构可分成体结构、正面MOS结构及背面集电极区结构三部分，IGBT作为电力电子领域非常理想的开关器件，各种新结构、新工艺及新材料技术还在不断涌现，推动着IGBT芯片技术的发展，其功耗不断降低，工作结温不断升高，从125℃提升到了175℃并向200℃迈进，并可以在芯片上集成体二极管，形成逆导IGBT，无需再反并联续流二极管，在相同的封装尺寸下，可将模块电流提高30％,还可以将电流及温度传感器集成到芯片内部，实现芯片智能化，通过对IGBT芯片的边缘结构进行隔离处理，可以形成具有双向阻断能力的IGBT(RB-IGBT)，在双向开关应用中无需再串联二极管，并具有更小的漏电流及更低的损耗，但是许多IGBT芯片的铜柱设置给予引线的键合增加了较大的难度，在精密度不够细致的键合机键合容易导致遗漏或者错引的现象出现，会对IGBT芯片的使用带来较大的不利影响。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种便于键合的IGBT芯片，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种便于键合的IGBT 芯片，包括芯片本体，所述芯片本体的顶部固定连接有一体式腔盖，所述一体式腔盖顶部的四周焊接有上铜柱，所述芯片本体的顶部焊接有下铜柱，所述一体式腔盖的底部固定连接有导热硅脂，所述导热硅脂的底部固定连接有倒装芯片，所述倒装芯片的外侧填充有底部填充剂，所述一体式腔盖的底部安装有BT基板。

优选的，所述导热硅脂的底部与倒装芯片通过粘着剂连接。

优选的，所述上铜柱与下铜柱通过键合机连接。

优选的，所述BT基板的顶部与一体式腔盖的底部通过粘着剂连接，确保连接的可靠性。

优选的，所述BT基板的底部开设有水冷槽，可以加速芯片本体的散热效果，加强芯片本体的工作效率。

优选的，所述一体式腔盖为倒U形结构，可以节省材料，同时在内部可以安装较多部件，有利于降低生产成本。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、该便于键合的IGBT芯片，通过在芯片本体设置有一体式腔盖便于对芯片内部的拆卸，在一体式腔盖的顶部焊接有上铜柱与芯片本体顶部焊接的下铜柱呈梯形对称，且铜柱间的间距较大，便于键合机的有效键合，键合机对芯片的键合是高精度作业，由于键合引线本身较为柔弱故而在加大铜柱间间距，可以加粗键合引线，在一体式腔盖的内部安装有倒装芯片，可以加强芯片本体的信号源输出，BT基板的设置可以为芯片本体起到绝缘的作用，同时在BT基板的底部开设有水冷槽可以加速芯片本体的散热效果，芯片本体内部的底部填充剂可以使得芯片个部件的连接更加具有可靠性，同时不会影响芯片本体的信号源输出。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型结构剖面图。