[实用新型]薄膜覆晶封装结构与显示装置有效
申请号: | 202021554989.8 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN212485303U | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 何铭祥;黄军凯;萧毅豪 | 申请(专利权)人: | 河南烯力新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/467;G09F9/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 张全信 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 封装 结构 显示装置 | ||
本实用新型公开了一种薄膜覆晶封装结构与显示装置。薄膜覆晶封装结构包括薄膜基板、芯片、第一散热件以及一黏着件。薄膜基板具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。芯片设置在薄膜基板的第一表面上,并与薄膜基板电连接。第一散热件设置在薄膜基板的第一表面上,并完全覆盖芯片,且第一散热件、芯片及薄膜基板之间具有间隙。黏着件设置在薄膜基板、芯片及第一散热件之间,且黏着件填满间隙。本实用新型具有优异的散热效能及结构可靠度。
技术领域
本实用新型关于一种封装结构,特别关于一种薄膜覆晶(Chip On Film,COF)封装结构与应用该薄膜覆晶封装结构的显示装置。
背景技术
在半导体封装技术中,型态大致可区分为卷带式芯片载体(Tape CarrierPackage,TCP)封装、薄膜覆晶(Chip On Film,COF)封装及玻璃覆晶(Chip On Glass,COG)封装等三类,主流封装技术原为TCP。但是,因为技术发展不断高密度化,利用覆晶接合方式的COF封装取代了TCP的胶带自动接合(Tape Automated Bonding,TAB),使得芯片与软性基板可以极高密度相接合,且由于封测技术朝晶圆颗粒持续微缩与细间距(Fine Pitch)工艺的趋势发展,使得COF封装逐渐成为主流。
为了加快薄膜覆晶封装结构的芯片散热,在将芯片设置在薄膜基板之后,会再利用散热材贴附在薄膜基板以覆盖整个芯片来协助芯片散热。传统工艺上,在将散热材贴附在薄膜基板且覆盖芯片的过程中,难以使散热材与芯片紧密贴附在一起,因此,在芯片与散热材之间常常存在着气隙(air gap),如此,在后续的热工艺或芯片运作中,被困在芯片与散热材之间的空气会膨胀,因而可能导致散热材与芯片分离,降低芯片封装的可靠性。再者,由于空气的导热性相当低,被困在芯片与散热材之间的空气也会影响芯片产生的热传导至散热材的效率。
实用新型内容
鉴于上述内容,本实用新型的目的为提供一种薄膜覆晶封装结构与显示装置,可具有优异的散热效能及结构可靠度。
为达上述目的,根据本实用新型的一种薄膜覆晶封装结构,包括薄膜基板、芯片、第一散热件以及黏着件。薄膜基板具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。芯片设置在薄膜基板的第一表面上,并与薄膜基板电连接。第一散热件设置在薄膜基板的第一表面上,并完全覆盖芯片,且第一散热件、芯片及薄膜基板之间具有间隙。黏着件设置在薄膜基板、芯片及第一散热件之间,且黏着件填满散热件、芯片及薄膜基板之间的间隙。
在实施例中,薄膜基板为聚酰亚胺基板。
在实施例中,芯片具有远离薄膜基板的第一表面的顶面,黏着件还设置在顶面与第一散热件之间。
在实施例中,第一散热件包括基材、第一黏着层、导热层、第一金属层、第二黏着层及第二金属层,第一黏着层、导热层、第一金属层、第二黏着层及第二金属层依序设置在基材上。
在实施例中,第一黏着层或第二黏着层为石墨烯黏着膜。
在实施例中,导热层为石墨烯导热膜、石墨导热膜、纳米碳管导热膜、氧化铝导热膜、氮化硼导热膜、或氧化锌导热膜、或其组合。
在实施例中,第一金属层或第二金属层为金属离子沉积层或金属片。
在实施例中,黏着件为石墨烯黏着膜。
在实施例中,薄膜覆晶封装结构还包括第二散热件,其设置在薄膜基板的第二表面上,且第二散热件的设置位置对应于芯片。
为达上述目的,根据本实用新型的一种显示装置包括显示面板以及上述的薄膜覆晶封装结构,薄膜覆晶封装结构与显示面板电连接。
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