[实用新型]多路承片台托盘有效
申请号: | 202021556110.3 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN212412030U | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 曹丽萍;张万财;王加初;文康 | 申请(专利权)人: | 平凉市老兵科技研发有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 邓芸 |
地址: | 744000 甘肃省平凉市*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多路承片台 托盘 | ||
本实用新型公开了多路承片台托盘,属于半导体加工制造领域。该托盘包括一个圆盘形结构的八吋托盘,其上下端面平行,上端面开设有多个不同吋数的气槽及相对应的多个密封托盘圈槽,圆周侧面上垂直于轴线方向开设有多路贯穿型的阶梯通孔,各阶梯通孔于八吋托盘轴线处相交,下端面轴线方向上还开设有一个用于连接气路主体的中心气孔,中心气孔与各阶梯通孔连通;各气槽的槽内均开设有多个气路连接孔,气路连接孔与阶梯通孔连通;对应于阶梯通孔还匹配有多个不同吋数的螺塞杆。本实用新型可根据使用需要开放或塞堵相应尺寸的气路,达到在不更换托盘的情况下磨削不同尺寸晶圆基片的目的,加工成本低,安装方便。
技术领域
本实用新型属于半导体加工制造领域,涉及晶圆减薄机用承片台托盘,具体涉及多路承片台托盘。
背景技术
在半导体加工设备中,晶圆减薄机是半导体加工中必不可少的一个设备,而在晶圆减薄过程中,最常用的晶圆为四吋、五吋、六吋与八吋晶圆,在减薄机系统中承片台系统是减薄机中的主要部分,而承片台托盘与承片台吸盘是承片台系统中必不可少的零件。现有承片台吸盘多为单路吸盘,所对应的承片台托盘也为中心通气通水托盘,所以在减薄不同尺吋的晶圆时就需要更换相对应尺吋的吸盘,无形中增加了制造成本,在更换托盘与吸盘中也浪费了大量时间。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了克服上述现有技术存在的不足或缺陷,提供多路承片台托盘。
为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是多路承片台托盘,包括一个圆盘形结构的八吋托盘,其特征在于,所述八吋托盘上下端面平行,上端面开设有多个不同吋数的气槽及相对应的多个密封托盘圈槽,圆周侧面上垂直于轴线方向开设有多路贯穿型的阶梯通孔,各阶梯通孔于八吋托盘轴线处相交,下端面轴线方向上还开设有一个用于连接气路主体的中心气孔,中心气孔与各阶梯通孔连通;各气槽的槽内均开设有多个气路连接孔,气路连接孔与阶梯通孔连通;对应于阶梯通孔还匹配有多个不同吋数的螺塞杆。
八吋托盘的上端面用于连接真空吸盘,下端面用于连接转台主体。气槽
进一步的,所述气槽包括两圈四吋气槽、一圈五吋气槽、一圈六吋气槽和一圈八吋气槽,四吋气槽与五吋气槽、五吋气槽与六吋气槽、六吋气槽与八吋气槽之间各开设有一圈密封托盘圈槽,八吋气槽的外圈也开设有一圈整体密封用的密封托盘圈槽。
各气槽形成环形气路,密封托盘圈槽采用密封圈密封后,将每个气路单独隔开,八吋气槽外圈的密封托盘圈槽用于整体密封八吋托盘与吸盘之间的接触面。
进一步的,所述阶梯通孔为四路,四路所述阶梯通孔均布于圆周侧面上,且均在垂直于轴线的同一平面上。
进一步的,所述阶梯通孔均为四个阶梯,从内到外分别为四吋气路阶梯孔、同一圆周上的五吋气路阶梯孔和六吋气路阶梯孔、八吋气路阶梯孔及最外侧沉孔阶梯,其中,四吋气路阶梯孔为第一阶梯通孔,其直径最小,五吋气路阶梯孔和六吋气路阶梯孔为第二阶梯通孔,八吋气路阶梯孔为第三阶梯通孔,前端为用于开设气路连接孔的通孔,后端为用于连接螺塞杆的螺纹孔,最外侧沉孔阶梯为螺塞杆沉头孔。
进一步的,所述阶梯通孔的每一个阶梯上均开设有一个气路连接孔;气路连接孔包括4个四吋气路连接孔、2个五吋气路连接孔、2个六吋气路连接孔、四个八吋气路连接孔;四吋气路连接孔均布于最内圈两个结构圆上,且开设在四吋气路阶梯孔上;五吋气路连接孔均布于直径大于四吋结构圆直径的结构圆上,且开设在五吋气路阶梯孔上;六吋气路连接孔均布于直径大于五吋结构圆直径的结构圆上,且开设在六吋气路阶梯孔上,两个六吋气路连接孔中心相连的直线与两个五吋气路连接孔相连的直线相垂直;八吋气路连接孔均布在同一个结构圆上,其结构圆直径大于六吋结构圆,且开设在八吋气路阶梯孔上。
进一步的,所述螺塞杆包括四个全开螺塞杆、四个八吋螺塞杆、两个六吋螺塞杆、两个五吋螺塞杆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造