[实用新型]基板处理装置有效
| 申请号： | 202021556830.X | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN212874438U | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 桥本佑介;东岛治郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置，其具有：基板保持机构，其保持被处理基板；和喷嘴单元，其向保持到所述基板保持机构的所述被处理基板喷出处理液，其特征在于，
所述喷嘴单元具备：配管，其供给所述处理液；和喷头，其设置于所述配管的顶端，朝向所述被处理基板喷出所述处理液，
所述配管具有从内侧依次配置的、由耐蚀性树脂形成的第1层、由刚性材料形成的第2层、以及由耐蚀性树脂形成的第3层，
所述喷头由具有导电性的耐蚀性树脂形成，
所述第3层从外方覆盖所述第1层和所述第2层，并且从外方覆盖所述喷头的一部分。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述喷头嵌入所述配管内。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1层具有导电性，所述第1层和所述喷头接合，或者，所述第2层具有导电性，所述第2层和所述喷头接合。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述喷头连接有导线。
5.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述喷头熔接于所述第1层和所述第3层。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1层由具有导电性的PFA管构成。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第2层由SUS管构成。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第3层由PFA管构成。
9.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述喷头由具有导电性的PFA制材料形成。
10.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述喷头具有所述配管的所述第1层的延长部分和从外方覆盖该延长部分的覆盖部分。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
