[实用新型]基板处理装置有效
申请号: | 202021556830.X | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN212874438U | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 桥本佑介;东岛治郎 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
本实用新型提供一种基板处理装置。针对从喷嘴单元喷出的处理液具有充分的耐蚀性,且可靠地防止所喷出的处理液的带电。基板处理装置具有喷嘴单元。喷嘴单元具备配管和设置到配管的顶端的喷头,配管具有第1层、第2层以及第3层。喷头由具有导电性的耐蚀性树脂形成。第3层从外方覆盖第1层和第2层,并且从外方覆盖喷头的一部分。
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置及其制造方法。
背景技术
在半导体器件的制造工序中,以在基板上形成的抗蚀剂为掩模而进行蚀刻、离子注入等处理。之后,从基板上去除不要的抗蚀剂。
作为抗蚀剂的去除方法,公知有通过向基板供给作为硫酸和过氧化氢水的混合液的SPM(Sulfuricacid Hydrogen Peroxide Mixture)等处理液而去除抗蚀剂的SPM处理。为了提高抗蚀剂的去除能力而以加热成高温的状态从喷嘴单元向基板供给SPM(参照例如专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-207080号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
不过,在以往以来使用了处理液的基板处理中,处理液带电,在将带电的处理液向基板上供给之际,有时由于处理液与基板之间的电位差而产生放电。考虑到若如此在处理液与基板之间产生放电,则基板上的膜、电路图案会被破坏。
本公开是考虑这样的点而做成的,提供一种针对从喷嘴单元喷出的处理液具有充分的耐蚀性、且能够可靠地防止所喷出的处理液的带电的基板处理装置及其制造方法。
用于解决问题的方案
本公开是一种基板处理装置,其具有:基板保持机构,其保持被处理基板;和喷嘴单元,其向保持到所述基板保持机构的所述被处理基板喷出处理液,在该基板处理装置中,所述喷嘴单元具备:配管,其供给所述处理液;和喷头,其设置于所述配管的顶端,朝向所述被处理基板喷出处理液,所述配管具有从内侧依次配置的、由耐蚀性树脂形成的第1层、由刚性材料形成的第2层、以及由耐蚀性树脂形成的第3层,所述喷头由具有导电性的耐蚀性树脂形成,所述第3层从外方覆盖所述第1层和所述第2层,并且从外方覆盖所述喷头的一部分。
对于上述基板处理装置,也可以是,所述喷头嵌入所述配管内。
对于上述基板处理装置,也可以是,所述第1层具有导电性,所述第1层和所述喷头接合,或者,所述第2层具有导电性,所述第2层和所述喷头接合。
对于上述基板处理装置,也可以是,在所述喷头连接有导线。
对于上述基板处理装置,也可以是,所述喷头熔接于所述第1层和所述第3层。
对于上述基板处理装置,也可以是,所述第1层由具有导电性的PFA管构成。
对于上述基板处理装置,也可以是,所述第2层由SUS管构成。
对于上述基板处理装置,也可以是,所述第3层由PFA管构成。
对于上述基板处理装置,也可以是,所述喷头由具有导电性的PFA制材料形成。
对于上述基板处理装置,也可以是,所述喷头具有所述配管的所述第1层的延长部分和从外方覆盖该延长部分的覆盖部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021556830.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种双路分离低电压驱动供电控制装置
- 下一篇:一种液晶供给装置和液晶滴入设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造