[实用新型]一种集成开关电源的智能功率模块

权利要求书

1.一种集成开关电源的智能功率模块，其特征在于，包括：

一HVIC芯片，其包括VSS端口、高侧输出端口以及低侧输出端口，所述高侧输出端口仅有HO1端口以及HO2端口，所述低侧输出端口仅有LO1端口以及LO2端口；

一逆变器单元，所述逆变器单元仅有第一三极晶体管、第二三极晶体管、第三三极晶体管以及第四三极晶体管；

所述第一三极晶体管，其栅极与所述HO1端口连接，其漏极连接于P点，其源极连接于A点；

所述第二三极晶体管，其栅极与所述LO1端口连接，其漏极与所述第一三极晶体管的源极连接，其源极与所述HVIC芯片的VSS端口连接；

所述第三三极晶体管，其栅极与所述HO2端口连接，其漏极与所述第一三极晶体管的漏极连接，其源极连接于B点；

所述第四三极晶体管，其栅极与所述LO2端口连接，其漏极与所述第三三极晶体管的源极连接，其源极与所述第二三极晶体管的源极连接；

一开关电源，其包括功率MOS管以及控制电路；所述功率MOS管的栅极与控制电路连接，其漏极连接于P点，其源极与所述VSS端口连接；所述控制电路设置于所述HVIC芯片内部。

2.根据权利要求1所述的集成开关电源的智能功率模块，其特征在于，所述功率MOS管为横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，所述横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管设置于所述HVIC芯片的内部。

3.根据权利要求1所述的集成开关电源的智能功率模块，其特征在于，所述功率MOS管为垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，所述垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管设置于所述HVIC芯片的外部。

4.根据权利要求1所述的集成开关电源的智能功率模块，其特征在于，所述控制电路包括电流检测控制电路、逻辑电路、驱动电路以及可变振荡器，所述HVIC芯片还包括CONTROL端口、MODE端口以及FREQUENCY端口；

所述电流检测控制电路和所述可变振荡器均与所述逻辑电路连接，且所述电流检测控制电路连接于所述CONTROL端口，所述可变振荡器连接于所述FREQUENCY端口；所述驱动电路的输入端与所述逻辑电路连接，所述驱动电路的输出端与所述功率MOS管的栅极连接；所述逻辑电路连接于所述MODE端口。

5.根据权利要求4所述的集成开关电源的智能功率模块，其特征在于，所述逻辑电路内设置有温度保护模块、软启动模块、自动重启模块以及保护模式选择模块。

6.根据权利要求1所述的集成开关电源的智能功率模块，其特征在于，还包括肖特基二极管和高压快恢复二极管；

所述肖特基二极管的阳极连接于P点，其阴极与所述高压快恢复二极管的阴极连接，所述高压快恢复二极管的阴极的阳极与所述功率MOS管的漏极连接。

7.根据权利要求1所述的集成开关电源的智能功率模块，其特征在于，还包括第一自举电容和第二自举电容；

所述HVIC芯片还包括VB1端口以及VS1端口，所述VB1端口通过所述第一自举电容与所述VS1端口连接；所述HVIC芯片还包括VB2端口以及VS2端口，所述VB2端口通过第二自举电容与所述VS2端口连接。

8.根据权利要求1所述的集成开关电源的智能功率模块，其特征在于，还包括一采样电阻；

所述采样电阻的第一端连接所述第二三极晶体管的源极，所述采样电阻的第二端与所述VSS端口连接；

所述HVIC芯片内设置有过流保护电路，用于当所述采样电阻采集的电流超过设定阈值时，停止工作；

所述HVIC芯片还包括ITRIP端口，所述过流保护电路连接于所述ITRIP端口，所述ITRIP端口在所述HVIC芯片的内部通过一滤波电容下拉到所述VSS端口。