[实用新型]一种集成开关电源的智能功率模块

说明书

本申请提供一种集成开关电源的智能功率模块，包括：一HVIC芯片，其包括VSS端口、高侧输出端口以及低侧输出端口，高侧输出端口仅有HO1端口以及HO2端口，低侧输出端口仅有LO1端口以及LO2端口；一逆变器单元，逆变器单元仅有第一三极晶体管、第二三极晶体管、第三三极晶体管以及第四三极晶体管；一开关电源，其包括功率MOS管以及控制电路；功率MOS管的栅极与控制电路连接，其漏极连接于P点，其源极与VSS端口连接。

技术领域

本申请涉及电路领域，具体涉及一种集成开关电源的智能功率模块。

背景技术

智能功率模块，即IPM(Intelligent Power Module)，是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品。智能功率模块把功率开关器件和高压驱动电路集成在一起，并内藏有过电压、过电流和过热等故障检测电路。智能功率模块一方面接收控制芯片的控制信号，驱动后续电路工作，另一方面将系统的状态检测信号送回控制芯片。与传统分立方案相比，智能功率模块以其高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源，是变频调速，冶金机械，电力牵引，伺服驱动，变频家电的一种理想电力电子器件。

针对小功率的电机，目前的IPM的电路拓扑没有单相全桥逆变结构。且当IPM需要工作以驱动电机等负载时，需要接入把市电整流过后形成的直流电压的开关电源，但目前没有集成单相全桥逆变结构+开关电源的IPM，只能通过将分立的开关电源、驱动芯片以及多个晶体管在外围控制电路的连接下得以实现，上述的实现方式存在电路设计复杂，且占电路基板面积较大的问题。

因此，现有技术存在缺陷，急需改进。

实用新型内容

本申请实施例的目的在于提供一种集成开关电源的智能功率模块，能极大地简化模块的外围电路设计。

本申请实施例提供了一种集成开关电源的智能功率模块，包括：

一HVIC芯片，其包括VSS端口、高侧输出端口以及低侧输出端口，所述高侧输出端口仅有HO1端口以及HO2端口，所述低侧输出端口仅有LO1端口以及LO2端口；

一逆变器单元，所述逆变器单元仅有第一三极晶体管、第二三极晶体管、第三三极晶体管以及第四三极晶体管；

所述第一三极晶体管，其栅极与所述HO1端口连接，其漏极连接于P点，其源极连接于A 点；

所述第二三极晶体管，其栅极与所述LO1端口连接，其漏极与所述第一三极晶体管的源极连接，其源极与所述HVIC芯片的VSS端口连接；

所述第三三极晶体管，其栅极与所述HO2端口连接，其漏极与所述第一三极晶体管的漏极连接，其源极连接于B点；

所述第四三极晶体管，其栅极与所述LO2端口连接，其漏极与所述第三三极晶体管的源极连接，其源极与所述第二三极晶体管的源极连接；

一开关电源，其包括功率MOS管以及控制电路；所述功率MOS管的栅极与控制电路连接，其漏极连接于P点，其源极与所述VSS端口连接；所述控制电路设置于所述HVIC芯片内部。

优选地，本申请实施例的集成开关电源的智能功率模块中，所述功率MOS管为横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，所述横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管设置于所述HVIC芯片的内部。

优选地，本申请实施例的集成开关电源的智能功率模块中，所述功率MOS管为垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，所述垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管设置于所述HVIC芯片的外部。

优选地，本申请实施例的集成开关电源的智能功率模块中，所述控制电路包括电流检测控制电路、逻辑电路、驱动电路以及可变振荡器，所述HVIC芯片还包括CONTROL 端口、MODE端口以及FREQUENCY端口；