[实用新型]一种IGBT模块自动固化设备有效
申请号: | 202021568272.9 | 申请日: | 2020-08-01 |
公开(公告)号: | CN212342581U | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 饶道龚;李广平;葛正;杨三龙;林伟民 | 申请(专利权)人: | 浙江大学台州研究院 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L29/739 |
代理公司: | 台州市南方商标专利代理有限公司 33225 | 代理人: | 毕勇 |
地址: | 317600 浙江省台州市玉环市机电产业功能区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt 模块 自动 固化 设备 | ||
一种IGBT模块自动固化设备,包括中转台装置,中转台装置前部上方设有一小托盘上下料机架;所述小托盘上下料机架左部、右部皆设有与其相匹配的小托盘移料装置;所述小托盘上下料机架左侧、右侧皆设有与小托盘移料装置相匹配的小托盘输送装置;所述中转台装置后侧设有一与其相匹配的大托盘输送装置;所述大托盘输送装置后侧左右两边分别设有与其相匹配的烘烤装置、缓存装置。本实用新型的IGBT模块自动固化设备能够在产品固化过程中实现全自动上下料,有效提高工作效率,且能够有效避免固化后的产品的温度高导致人员误操作时易被烫伤的情况。
技术领域
本实用新型涉及一种IGBT模块自动固化设备。
背景技术
IGBT,又名绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
从上世纪50年代研制出晶闸管开始,电能的变换和控制进入由功率半导体器件为主要载体的变流器时代。70年代功率半导体器件先后出现了门极可关断晶闸管(GTO)、巨型晶体管(GTR)和功率MOSFET等全控型器件,80年代在DMOS基础上研制出IGBT,IGBT结合了MOSFET与双极型晶体管的优点,具有电能变换方式灵活、功率容量大、工作频率高等特点。
IGBT技术发展很快,性能不断提升,目前主流IGBT芯片技术以高压平面栅及中低压沟槽栅为基本特征,结合了场截止缓冲层技术和透明阳极技术,实现了良好的通态与动态特性,并具备宽的安全工作区,使得IGBT足以替代大功率应用领域的其他类型的器件。为提高电流容量,出现了多芯片封装技术,各种电流电压等级、电路形式及封装形式的IGBT模块相继推出。经过二十多年的发展,由于其优越的性能,IGBT已经成为电力电子的“核芯”,广泛应用与轨道交通、智能电网、电动汽车、新能源等领域。
固化设备用于封装形式的IGBT模块生产制作过程中的侧框胶模块和硅胶模块的胶水固化,而针对模块产品固化工艺方面,该工艺需要人工手动将产品放入或拿出烘箱,不仅工作量大,效率低,且存在固化后的产品的温度高导致人员误操作时易被烫伤的问题。
发明内容
本实用新型要解决现有的技术问题是提供一种IGBT模块自动固化设备,它能够在产品固化过程中实现全自动上下料,有效提高工作效率,且能够有效避免固化后的产品的温度高导致人员误操作时易被烫伤的情况。
本实用新型解决上述技术问题采用的技术方案为:
本实用新型公开一种IGBT模块自动固化设备,其特征在于:包括中转台装置,中转台装置前部上方设有一小托盘上下料机架;所述小托盘上下料机架左部、右部皆设有与其相匹配的小托盘移料装置;所述小托盘上下料机架左侧、右侧皆设有与小托盘移料装置相匹配的小托盘输送装置;所述中转台装置后侧设有一与其相匹配的大托盘输送装置;所述大托盘输送装置后侧左右两边分别设有与其相匹配的烘烤装置、缓存装置。
所述中转台装置包括工作台;所述工作台上设有若干均匀分布的大托盘底座,大托盘底座呈“凵”字型;所述大托盘底座后侧设有一与大托盘输送装置相对的大托盘夹持口;所述大托盘底座上端左右两侧内壁设有互为对称的卡位台阶;所述大托盘底座上放置有与其相匹配的大托盘,大托盘左右两端分别卡于卡位台阶上;所述大托盘底座前侧内壁设有一大托盘检测传感器;所述大托盘上设有若干均匀分布的顶起孔;所述顶起孔上端孔口边沿设有一呈“口”字型的限位台阶;所述工作台内设有若干与顶起孔位置相对应的电动缸;所述电动缸的活塞杆上端向上穿出工作台上表面并设有一小托盘顶板,小托盘顶板可通过顶起孔上下移动;所述工作台上表面设有若干与顶起孔位置相对应的小托盘检测传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造