[实用新型]一种多轨道硅片缓存机构有效

专利信息
申请号: 202021596632.6 申请日: 2020-08-04
公开(公告)号: CN212967634U 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 吴廷斌;张学强;张建伟;罗银兵;朱方松 申请(专利权)人: 罗博特科智能科技股份有限公司
主分类号: H01L21/673 分类号: H01L21/673;H01L21/677;H01L31/18
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 王佳丽
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 轨道 硅片 缓存 机构
【说明书】:

实用新型提供了一种多轨道硅片缓存机构,所述的机构包括硅片储存装置、用于驱动所述的硅片储存装置上下移动的驱动组件,所述的硅片储存装置包括安装框架、多个沿左右方向排列设置在安装框架上的硅片安装架。此机构可人工调整各缓存侧板之间的间距来缓存硅片,目前可以兼容市场上所有规格主流硅片规格。由于采用的是双丝杆直线模组,相比单丝杆直线模组加导轨机构平顺性要好得多,没有卡顿的想象。由于此缓存机构置于传输轨道之上,当设备故障处理完之后,此机构会进行方片处理。

技术领域

本实用新型涉及硅片生产领域,具体涉及一种多轨道硅片缓存机构。

背景技术

硅片是太阳能电池片的载体,硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低,太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换,而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内,在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器,通过三氯氧磷和硅片进行反应,得到磷原子。经过一定时间,磷原子从四周进入硅片的表面层,并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散,形成了N型半导体和P型半导体的交界面,也就是PN结。在硅片生产过程中,刻蚀下料机内部出现堵片或其他故障等问题时,设备会因此而停机,但与之对应的工艺机还在正常运行,工艺机内部会有一定数量的硅片,这时缓存这些硅片就显的十分必要了。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种多轨道硅片缓存机构。

为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种多轨道硅片缓存机构,所述的机构包括硅片储存装置、用于驱动所述的硅片储存装置上下移动的驱动组件,所述的硅片储存装置包括安装框架、多个沿左右方向排列设置在安装框架上的硅片安装架。

优选地,所述的硅片安装架包括沿上下方向延伸设置的连接杆、沿上下方向排列设置在所述的连接杆上的安装片,相邻的两个安装片之间形成可供硅片插入的间隙。

优选地,所述的安装框架包括左右排列设置的两个侧安装架、上下排列设置的上安装梁和下安装梁,所述的连接杆的上端通过一上安装部可拆卸的连接在所述的上安装梁上,所述的连接杆的下端通过一下安装部可拆卸的连接在所述的下安装梁上。

优选地,所述的驱动组件包括左右排列设置的两个直线模组,两个所述的侧安装架分别安装在所述的直线模组上,所述的直线模组能够驱动所述的侧安装架上下移动。

优选地,所述的驱动组件还包括同步电机和传送带,所述的直线模组分别包括一带轮,所述的同步电机通过传送带同步驱动两个直线模组的带轮转动。

优选地,所述的硅片安装架包括前后方向排列设置的两个连接杆,两个连接杆上的安装片一一对应设置。

优选地,相邻的两个硅片安装架之间能够供传送轨道穿过,所述的传送轨道用于传送硅片。

本实用新型的多轨道硅片缓存机构,具有如下有益效果:

1.兼容硅片规格广,此机构可人工调整各缓存侧板之间的间距来缓存硅片,目前可以兼容市场上所有规格主流硅片规格。

2.平顺性好,由于采用的是双丝杆直线模组,相比单丝杆直线模组加导轨机构平顺性要好得多,没有卡顿的想象。

3.提高了生产效率,由于此缓存机构置于传输轨道之上,当设备故障处理完之后,此机构会进行方片处理。

附图说明

图1是本申请的多轨道硅片缓存机构的结构示意图;

图2是本申请的硅片储存装置的结构示意图;

图3是本申请的硅片安装架的结构示意图;

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