[实用新型]一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构及带有该附加屏蔽结构的滤波器有效
| 申请号： | 202021598508.3 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN212306031U | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 张卫;王津丰;荣建海;王源;尹春燕 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第九研究所 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙) 51235 | 代理人： | 黎仲 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 yig 滤波器 辐射 附加 屏蔽 结构 带有 | ||
1.一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构，其特征在于：包括上下对称的上屏蔽筒体和下屏蔽筒体，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的底部相同位置均设置有底部通孔，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体相接的侧壁设置有侧壁槽口，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的侧壁还设置有侧壁通孔。
2.根据权利要求1所述的YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构，其特征在于：所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体均为非磁性材料。
3.根据权利要求1所述的YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构，其特征在于：所述上屏蔽筒体和/或下屏蔽筒体为单层或者多层结构。
4.根据权利要求3所述的YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构，其特征在于：所述上屏蔽筒体和/或下屏蔽筒体为多层结构，不同层采用不同原子序数的非磁性材料。
5.一种YIG滤波器，包括上磁路、上磁路的上极柱、安装于上磁路内的上驱动线圈、下磁路，下磁路的下极柱、安装于下磁路内的下驱动线圈、YIG谐振电路、连接器、连接器与YIG谐振电路之间互联的同轴电缆，其特征在于：还包括权利要求1-4任意一项所述的抗辐射附加屏蔽结构，其中，所述上驱动线圈、下驱动线圈和YIG谐振电路均位于所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体所围成的抗辐射附加屏蔽结构内部，所述上极柱、下极柱均穿过所述底部通孔，所述同轴电缆穿过所述侧壁槽口，所述上驱动线圈和下驱动线圈端子穿过所述侧壁通孔。
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