[实用新型]一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构及带有该附加屏蔽结构的滤波器

说明书

本实用新型公开了一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构，属于电子元器件抗辐射加固技术领域，包括上下对称的上屏蔽筒体和下屏蔽筒体，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的底部相同位置均设置有底部通孔，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体相接的侧壁设置有侧壁槽口，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的侧壁还设置有侧壁通孔；本实用新型还公开了带有有该附加屏蔽结构的滤波器；本实用新型提供了一种YIG滤波器抗辐射的附加屏蔽结构，有益于增强YIG滤波器抗空间辐射能力，使YIG滤波器能经受更严酷的空间辐射而保持稳定的工作性能，延长其在空间辐射环境下的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及电子元器件抗辐射加固技术领域，尤其涉及一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构及带有该附加屏蔽结构的滤波器。

背景技术

YIG滤波器是以微波旋磁材料（如钇铁石榴石，YIG）为核心的器件，具有宽带调谐、抑制度高等特点，其工作频率可在宽频带（可达数个倍频程）范围内连续可调，主要用于微波测试、通信、雷达、电子对抗等系统。

现有的常规YIG滤波器未专门考虑抗辐射加固设计，其典型结构如图1所示，包括上磁路1、上磁路的上极柱2、安装于上磁路内的上驱动线圈3、下磁路4，下磁路的下极柱5、安装于下磁路内的下驱动线圈6、YIG谐振电路7、连接器8、连接器8与YIG谐振电路7之间互联的同轴电缆9；

YIG滤波器的磁路材料为铁镍合金，上述的常规YIG滤波器主要依靠自身的铁镍合金“自屏蔽”磁路结构起到电磁屏蔽作用，具备一定的抗辐射能力，例如质子、α粒子和重离子的穿透性差，一般不能直接穿透铁镍合金层而进入滤波器内部；

但是，γ射线、X射线等光子的穿透能力强，YIG滤波器的铁镍合金层不能有效地屏蔽；同时，质子、α粒子、重离子以及中子等会与铁镍合金发生作用，激发出二次辐射，如γ射线；穿过铁镍合金层的射线、粒子进入滤波器内部，会引起内部电路材料的位移损伤、电离总剂量等多种辐射效应，造成滤波器性能参数漂移、指标恶化、寿命缩短等影响。

发明内容

本实用新型的目的之一，就在于提供一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构，以解决上述问题。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是这样的：一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构，包括上下对称的上屏蔽筒体和下屏蔽筒体，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的底部相同位置均设置有底部通孔，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体相接的侧壁设置有侧壁槽口，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的侧壁还设置有侧壁通孔。

作为优选的技术方案：所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体均为非磁性材料。

作为优选的技术方案：所述上屏蔽筒体和/或下屏蔽筒体为单层或者多层结构。

作为进一步优选的技术方案：所述上屏蔽筒体和/或下屏蔽筒体为多层结构，不同层采用不同原子序数的非磁性材料。

YIG滤波器原有的“自屏蔽”磁路结构称为“内建屏蔽层”，本申请新增的由上屏蔽筒体和下屏蔽筒组合而成的“屏蔽筒”称为“附加屏蔽层”；在铁镍合金形成的“自屏蔽”磁路内壁与驱动线圈之间增加“屏蔽筒”，将驱动线圈、谐振电路等包围在其内部；

制作“屏蔽筒”的材料必须是非磁性材料，如铅、钼铜合金、铝等；

根据不同的设计目标，“屏蔽筒”可以采用单层结构，也可以采用不同材料组成多层结构，以提升屏蔽效能；采用多层的“套娃”结构时，不同层采用不同原子序数（Z）的非磁性材料，一般采用高Z与低Z元素材料组合，或采用合金。采用多层屏蔽结构是否能达到好的效果还与采用的材料及其组合顺序有关，对此后面的实施例1和2的对比可以对此进行进一步的解释说明。