[实用新型]一种半导体器件及其应用电路有效
| 申请号： | 202021602190.1 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN212967693U | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 陈鹏;徐清清 | 申请（专利权）人： | 阳光电源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H02M3/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李晓光 |
| 地址： | 230088 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 应用 电路 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：分立器件封装体、至少两个二极管元件，其中，
各所述二极管元件封装于所述分立器件封装体内；
各所述二极管元件按预设连接方式连接，且任一连接点连接相应二极管元件的不同极，其中，任意两个所述半导体元件的性能指标互不相同。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述性能指标至少包括耐压等级、导通压降、耐冲击能力和反向恢复能力；
任意两个所述二极管元件之间至少一项性能指标不同。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，各所述二极管元件间的连接点设置于所述分立器件封装体内部。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，各所述二极管元件间的连接点设置于所述分立器件封装体外部。
5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述至少两个二极管元件包括：第一二极管和第二二极管；
所述第一二极管的正极和所述第二二极管的负极相连。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括至少三个电极。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一二极管的负极作为所述半导体器件的第一电极；
所述第二二极管的正极作为所述半导体器件的第二电极；
所述第一二极管和所述第二二极管的串联连接点，作为所述半导体器件的第三电极。
8.根据权利要求1-4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述分立器件封装体采用TO-247系列封装、TO-220系列封装、TO-263系列封装、TO-252系列封装中的任意一种。
9.一种boost升压电路，其特征在于，包括：权利要求5-7任一项所述半导体器件，其中，
所述半导体器件的第一二极管作为所述boost升压电路的续流二极管；
所述半导体器件的第二二极管与所述boost升压电路中开关管并联。
10.一种三电平飞跨电容功率变换电路，其特征在于，包括：权利要求5-7任一项所述的半导体器件，其中，
所述半导体器件的第一二极管作为所述三电平飞跨电容功率变换电路的续流二极管；
所述半导体器件的第二二极管作为所述三电平飞跨电容功率变换电路的旁路二极管。
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