[实用新型]一种半导体器件及其应用电路

说明书

本实用新型提供的半导体器件及其应用电路，应用于电力电子技术领域，该半导体器件包括分立器件封装体、至少两个二极管元件，任意两个半导体元件的性能指标互不相同，各二极管元件按预设连接方式连接,且任一连接点连接相应二极管元件的不同极，且各二极管元件封装于分立器件封装体内，通过本实用新型提供的技术方案，在一个分立半导体器件内同时封装两个及以上的二极管元件，使用一个分立半导体器件代替现有技术中的多个分立半导体器件，从而可以减少分立半导体器件的使用数量，降低对电路板的面积占用，有助于减小电力电子产品的体积，提高电力电子产品的集成度和功率密度，进而降低生产成本。

技术领域

本实用新型涉及电力电子技术领域，特别涉及一种半导体器件及其应用电路。

背景技术

大多数电力电子产品，比如DC/DC变换器、DC/AC变换器，以及直流开关电源等，都设置有大量的半导体器件，这些半导体器件安装于电路板之上，按照预设的连接关系实现相应的功能。

在电力电子产品的设计、生产过程中，半导体器件的使用数量直接影响着电力电子产品的集成度和功率密度，在实现相同功能的前提下，半导体器件的数量越多，往往意味着电力电子产品的集成度和功率密度则越低，最终导致产品体积大，生产成本高。

因此，如何提高电力电子产品的集成度和功率密度，减小产品体积，降低生产成本，成为本领域技术人员长期以来需要解决的问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种半导体器件及其应用电路，将至少两个二极管元件封装于同一分立器件封装体中，有助于减小产品体积，提高电力电子产品的集成度和功率密度，进而降低生产成本。

为实现上述目的，本实用新型提供的技术方案如下：

第一方面，本实用新型提供一种半导体器件，包括：分立器件封装体、至少两个二极管元件，其中，

各所述二极管元件封装于所述分立器件封装体内；

各所述二极管元件按预设连接方式连接，且任一连接点连接相应二极管元件的不同极，其中，任意两个所述半导体元件的性能指标互不相同。

可选的，所述性能指标至少包括耐压等级、导通压降和耐冲击能力，反向恢复能力；

任意两个所述二极管元件之间至少一项性能指标不同。

可选的，各所述二极管元件间的连接点设置于所述分立器件封装体内部。

可选的，各所述二极管元件间的连接点设置于所述分立器件封装体外部。

可选的，所述至少两个二极管元件包括：第一二极管和第二二极管；

所述第一二极管的正极和所述第二二极管的负极相连。

可选的，所述半导体器件包括至少三个电极。

可选的，所述第一二极管的负极作为所述半导体器件的第一电极；

所述第二二极管的正极作为所述半导体器件的第二电极；

所述第一二极管和所述第二二极管的串联连接点，作为所述半导体器件的第三电极。

可选的，所述分立器件封装体采用TO-247系列封装、TO-220系列封装、TO-263系列封装、TO-252系列封装中的任意一种。

第二方面，本实用新型提供一种boost升压电路，包括：本实用新型第一方面任一项所述半导体器件，其中，

所述半导体器件的第一二极管作为所述boost升压电路的续流二极管；

所述半导体器件的第二二极管与所述boost升压电路中开关管并联。