[实用新型]一种深紫外LED的封装支架和封装结构

说明书

本实用新型公开了一种深紫外LED的封装支架和封装结构。深紫外LED的封装结构包括深紫外LED芯片、玻璃盖板和封装支架，封装支架包括陶瓷基板和围坝，陶瓷基板包括陶瓷板和布置在陶瓷板表面的金属化图形层，围坝固定在陶瓷基板的顶面上；围坝的内壁为金属内壁，金属内壁包括反光杯；围坝通过粘接层或焊接层固定在陶瓷基板的顶面上，当围坝通过粘接层固定在陶瓷基板的顶面时，围坝的金属内壁遮盖粘接层的内周。深紫外LED芯片贴装于陶瓷板顶面的金属化图形层的线路上，玻璃盖板焊接在围坝的顶部。本实用新型能有效地把芯片发出的紫外光导出封装体外，不仅封装结构的出光率高，而且芯片的工作温度较低。

[技术领域]

本实用新型涉及紫外LED的封装，尤其涉及一种深紫外LED的封装支架和封装结构。

[背景技术]

相对于传统汞灯、荧光灯等紫外光源，紫外发光二极管(UV-LED)具有节能环保、寿命长、体积小、波长可控等优势。其中，深紫外LED的发光波长小于300nm，可应用于杀菌消毒、水净化、生化检测等领域。目前，传统白光LED和浅紫外LED大都采用有机材料(环氧树脂、硅胶等)进行封装，以保护芯片和提高LED可靠性。但是，有机材料长期在深紫外光和热辐射环境下会出现老化和黄化等严重问题，降低了有机材料透过率和粘结性，并不适合高可靠的深紫外LED封装。

由于常用的深紫外(UVC波长范围200～275nm UVB波长275-320nm)LED芯片的发光特点，即芯片的侧发光为芯片出光的主要通道，具有良好导光的支架成为提高封装芯片出光效率的必备条件，同时，发光芯片对温度非常敏感，温度升高会大大减少芯片的出光效率，基板的导热能力成为封装支架的重要指标。

专利号为CN201920484388.5的实用新型公开了一种深紫外LED全无机气密封装结构。封装结构包括含有银层的石英玻璃盖板、含有金属围坝的三维陶瓷基板、焊接层以及深紫外LED芯片；所述深紫外LED芯片贴装于所述三维陶瓷基板金属围坝内的线路层上；所述石英玻璃盖板位于所述三维陶瓷基板金属围坝上表面，且通过所述焊接层实现所述石英玻璃盖板银层与所述三维陶瓷基板金属围坝的气密焊接。通过本实用新型，避免了有机材料的使用，实现了深紫外LED全无机气密封装，从而有效提高了深紫外LED器件长期可靠性。

但是该实用新型没有考虑深紫外LED芯片主要为侧发光的特点，竖直的围坝内壁，不能有效地把芯片发出的紫外光导出封装体外，不仅封装结构的出光率较低，而且因为出光率低，提升了芯片的工作温度。

[发明内容]

本实用新型要解决的技术问题是提供一种出光率高的深紫外LED的封装支架。

本实用新型要解决的技术问题是提供一种出光率高的深紫外LED的封装结构。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是，一种深紫外LED的封装支架，包括陶瓷基板和围坝，陶瓷基板包括陶瓷板和布置在陶瓷板表面的金属化图形层，围坝固定在陶瓷基板的顶面上；围坝的内壁为金属内壁，金属内壁包括反光杯；围坝通过粘接层或焊接层固定在陶瓷基板的顶面上，当围坝通过粘接层固定在陶瓷基板的顶面时，围坝的金属内壁向下延伸，并遮盖所述粘接层的内周。

以上所述的封装支架，反光杯的锥角为20°至78°。

以上所述的封装支架，反光杯的锥角为20°至30°。

以上所述的封装支架，所述的围坝为金属围坝或内壁金属化处理过的非金属围坝。

以上所述的封装支架，当围坝为内壁金属化处理过的非金属围坝时，围坝的顶面、底面和内壁各包括金属层。

当围坝为内壁金属化处理过的非金属围坝时，围坝包括含有树脂的基板，基板的顶面覆有铜箔或基板的双面覆有铜箔；围坝的内壁包括金属镀层。

以上所述的封装支架，反光杯的表面包括不影响紫外光反射的保护层。