[实用新型]功率器件的封装结构

说明书

本实用新型公开了一种功率器件的封装结构，包括4个引脚，分别为：漏极脚，栅极脚，源极功率脚和源极信号脚；功率器件包括栅极区、源区和漏区；功率器件设置在载片台上；在封装结构内部，漏极脚和功率器件的漏区连接，栅极脚和功率器件的栅极区连接；源极功率脚和功率器件的源区连接；源极信号脚通过开尔文连接方式连接功率器件的源区。本实用新型能实现驱动回路的源极信号脚和与负载连接的源极功率脚分离，能使栅源电压基本不会变化，使得功率器件能保持良好的驱动性能，能使栅源驱动电压不受负载端的反向电压的影响，从而能提高器件的开关速度并从而能改善中型至大小开关电源的效率。

技术领域

本实用新型涉及一种封装结构，特别是涉及一种功率器件的封装结构。

背景技术

如图1所示，是现有3脚TO-247型号的功率器件的封装结构201的外形图，功率器件202通常为功率MOSFET，MOSFET能为超结MOSFET，VDMOS等。功率器件封装在封装结构201内部，并通过3个引脚引出，图1中3个引脚分别用G，S，D表示，引脚G和功率器件202的栅极区相连，引脚S和功率器件202的源区相连，引脚D和功率器件202的漏极相连。

如图2所示，是图1的封装结构201中的功率器件202连接负载后的电路图；在使用状态下，引脚D连接电源电压，引脚S连接输入信号，引脚S连接负载L_SOURCE。当引脚G和引脚S的电压差即栅源电压V_GS大于功率器件202的阈值电压时器件导通，反之器件截止。功率器件202作为开关使用时会不断在导通和截止状态下切换。如图2所示可知，在栅源电压V_GS应用于功率器件202芯片后，会产生反电势，反电势的大小为：

V_LS＝L_SOURCE*dI_D/dt；

其中，L_SOURCE表示源极连接的负载导线电感，I_D表示漏极电流，dI_D/dt表示漏极电流斜率，VLS表示负载L_SOURCE上的反向电压即反电势。可以看出，V_LS增加后会引出V_GS下降，实际作用于功率器件202芯片后，会降低开关速度，尤其是开通速度。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种功率器件的封装结构，能使栅源驱动电压不受负载端的反向电压的影响，从而能提高器件的开关速度并从而能改善中型至大小开关电源的效率。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的功率器件的封装结构包括4个引脚，分别为：漏极脚，栅极脚，源极功率脚和源极信号脚。

功率器件包括栅极区、源区和漏区。

功率器件设置在所述封装结构的载片台上。

在所述封装结构内部，所述漏极脚和所述功率器件的漏区连接，所述栅极脚和所述功率器件的栅极区连接。

所述源极功率脚和所述功率器件的源区连接。

所述源极信号脚通过开尔文连接方式连接所述功率器件的源区。

进一步的改进是，所述源极功率脚通过引线和所述功率器件的源区连接。

进一步的改进是，所述功率器件的源区包括一个以上的连接位置区域，所述源极功率脚和所述功率器件的源区连接的引线包括一根以上且分别和对应的所述功率器件的源区的连接位置区域连接。

进一步的改进是，所述源极功率脚和所述功率器件的源区连接的引线为铝线。

进一步的改进是，所述源极功率脚和所述功率器件的源区连接的铝线的宽度为20微米以上。

进一步的改进是，所述源极信号脚通过一根引线连接到所述功率器件的一个连接位置区域。