[实用新型]一种多层滤波器

权利要求书

1.一种多层滤波器，包括陶瓷基体、设于所述陶瓷基体内的多个谐振器，以及设于所述陶瓷基体两端的输入端口和输出端口，所述输入端口通过第一耦合金属片连接多个谐振器中的首端谐振器，所述输出端口通过第二耦合金属片连接多个谐振器中的尾端谐振器，其特征在于，还包括源金属片和负载金属片，所述源金属片连接所述第一耦合金属片，所述负载金属片连接所述第二耦合金属片；所述源金属片和所述负载金属片相对设置，以形成电容的两个电极，在所述源金属片与所述负载金属片间形成开路电容。

2.根据权利要求1所述的多层滤波器，其特征在于，所述源金属片和所述负载金属片至少部分正对设置，所述源金属片和所述负载金属片间具有间距，且所述源金属片和所述负载金属片的间距、正对面积可调。

3.根据权利要求1所述的多层滤波器，其特征在于，所述源金属片和所述负载金属片位于同一平面，或

所述源金属片和所述负载金属片上下平行设置，且所述源金属片或所述负载金属片全部或部分位于所述负载金属片或所述源金属片的下方。

4.根据权利要求1所述的多层滤波器，其特征在于，多个所述谐振器延所述陶瓷基体的宽度方向延伸设置；所述源金属片包括第一连接段和第一延伸段，所述负载金属片包括第二连接段和第二延伸段；所述第一连接段的两端分别连接所述第一耦合金属片和所述第一延伸段，所述第二连接段的两端分别连接所述第二耦合金属片和所述第二延伸段；所述第一连接段与所述第一延伸段交叉设置，所述第二连接段与所述第二延伸段交叉设置。

5.根据权利要求4所述的多层滤波器，其特征在于，所述第一连接段和所述第二连接段延所述陶瓷基体的长度方向设置，所述第一延伸段和所述第二延伸段均至少包括一条延所述陶瓷基体宽度方向的宽向延伸段；

所述宽向延伸段还连接有纵向延伸段，所述第一延伸段的宽向延伸段和所述第二延伸段的宽向延伸段相互平行，所述第一延伸段的纵向延伸段和所述第二延伸段的纵向延伸段相互平行。

6.根据权利要求4所述的多层滤波器，其特征在于，所述源金属片和所述负载金属片均为一体成型。

7.根据权利要求4所述的多层滤波器，其特征在于，所述第一延伸段和所述第二延伸段的结构相同，所述第一延伸段和所述第二延伸段的结构为“□”型结构、“︱”型结构或一侧开口的矩形框型结构。

8.根据权利要求1至7任一所述的多层滤波器，其特征在于，所述多层滤波器的功能特性包含但不限于带通、带阻、高通、低通以及他们相互之间形成的双工器、合路器、多工器。