[实用新型]一种高集成多通道瓦片式T/R组件及有源相控阵天线有效
申请号: | 202021646185.0 | 申请日: | 2020-08-10 |
公开(公告)号: | CN212278234U | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 黄智;陈自然;胡彦胜;何宁 | 申请(专利权)人: | 航天科工通信技术研究院有限责任公司 |
主分类号: | H04B1/40 | 分类号: | H04B1/40;H04B1/401;H01Q23/00;H01Q21/00 |
代理公司: | 成都蓉创智汇知识产权代理有限公司 51276 | 代理人: | 谭新民 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成 通道 瓦片 组件 有源 相控阵 天线 | ||
1.一种高集成多通道瓦片式T/R组件,该高集成多通道瓦片式T/R组件为方形,由底板、盖板、前板、后板、左板和右板作壁围成安装腔体,其特征在于:所述底板上安装有n组第一连接器,每组第一连接器分别由一收一发两个连接器组成,每组第一连接器各自与底板垂直,盖板上安装有1组第二连接器,该第二连接器为接收输出和发射输入的合路端口,盖板上设置有通槽,安装腔体内设置有三层,第一层设置有微波印制电路片、功放模块和限幅和低噪放电路,第二层设置有多功能模块,第一层与第二层之间设置有第一转接模块,第三层设置有功分模块,第二层与第三层之间设置有第二转接模块,微波印制电路片分别与第一连接器、功放模块和限幅和低噪放电路连接,第一转接模块与多功能模块连接,多功能模块与第二转接模块连接,第二转接模块与功分模块连接,功分模块与第二连接器连接。
2.根据权利要求1所述的高集成多通道瓦片式T/R组件,其特征在于:所述n组第一连接器为4组第一连接器。
3.根据权利要求1或2任一所述的高集成多通道瓦片式T/R组件,其特征在于:所述多功能模块包括与通道数量相等的多功能模块用多功能芯片、多功能模块用控制芯片和第一LTCC多层基板,多功能模块用多功能芯片和多功能模块用控制芯片分别连接接到第一LTCC多层基板上。
4.根据权利要求1或2任一所述的高集成多通道瓦片式T/R组件,其特征在于:所述功分模块包括为通道数量一半的功分模块用驱动芯片、1个功分模块用控制芯片、1个功分模块用电源芯片和第二LTCC多层基板,功分模块用驱动芯片、功分模块用控制芯片和功分模块用电源芯片分别连接到第二LTCC多层基板上。
5.根据权利要求1或2任一所述的高集成多通道瓦片式T/R组件,其特征在于:所述第一转接模块包括第一金属隔墙,第一金属隔墙内设置有第一毛钮扣载体单元、第二毛钮扣载体单元和第三毛钮扣载体单元,第一毛钮扣载体单元、第二毛钮扣载体单元和第三毛钮扣载体单元上分别安装有毛钮扣。
6.根据权利要求1或2任一所述的高集成多通道瓦片式T/R组件,其特征在于:所述第二转接模块包括第二金属隔墙,第二金属隔墙内设置有第二毛钮扣载体单元、第三毛钮扣载体单元和第四毛钮扣载体单元,第二毛钮扣载体单元、第三毛钮扣载体单元和第四毛钮扣载体单元上分别安装有毛钮扣。
7.根据权利要求1或2任一所述的高集成多通道瓦片式T/R组件,其特征在于:所述功放模块包括功放芯片、功放芯片电容、功放芯片电阻、功放贴片电容和钼铜载板,功放芯片、功放芯片电容、功放芯片电阻、功放贴片电容安装在钼铜载板上。
8.根据权利要求1或2任一所述的高集成多通道瓦片式T/R组件,其特征在于:所述限幅和低噪放电路由与通道数量相等的限幅和低噪放电路单元组成,每一限幅和低噪放电路单元包括限幅和低噪放驱动芯片、限幅器和低噪放,每一限幅器、低噪放连接到微波印制电路片上,每一限幅和低噪放驱动芯片与微波印制电路片连接。
9.一种有源相控阵天线,包括有源相控阵天线前端,该有源相控阵天线前端从上到下顺次包括天线阵面层、环形器层、热沉层和T/R组件层,T/R组件层内装有T/R组件,天线阵面层中的各阵元与环形器层的环形器连接,环形器其余两个端口与T/R组件层中的T/R组件的射频收发端口连接,热沉层内嵌液冷导热管道,其特征在于:所述T/R组件为权利要求1或2任一所述的高集成多通道瓦片式T/R组件。
10.根据权利要求9所述的有源相控阵天线,其特征在于:所述第一连接器与环形器连接,功放模块临近热沉层。
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