[实用新型]一种整流器有效
| 申请号： | 202021654031.6 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN212783462U | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 黄健;孙闫涛;张朝志;顾昀浦;宋跃桦;吴平丽;樊君;张丽娜;虞翔;陈祖润 | 申请（专利权）人： | 捷捷微电（上海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人： | 曾敬 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 整流器 | ||
【权利要求书】：
1.一种整流器，其特征在于，包括第一导电类型的衬底，所述衬底具有沟槽，所述沟槽从所述衬底的表面向其内部延伸；
所述沟槽的侧壁和底壁分别设置有侧壁氧化层和底壁氧化层，在由所述侧壁氧化层和所述底壁氧化层形成的所述沟槽内设置有多晶硅；
位于所述多晶硅侧边的所述衬底中设置有第二导电类型的第一掺杂区；
在所述第一掺杂区的上方设置有第一导电类型的第二掺杂区；
所述衬底的表面设置有绝缘氧化层，所述绝缘氧化层覆盖在所述多晶硅的表面，所述绝缘氧化层、侧壁氧化层和底壁氧化层包裹所述多晶硅；
所述绝缘氧化层的表面覆盖有阳极金属层，所述阳极金属层通过接触孔与所述多晶硅电连接，所述阳极金属层通过接触孔与所述第一掺杂区和第二掺杂区欧姆接触；
所述衬底的底部覆盖有阴极金属层，所述阴极金属层与所述衬底欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的整流器，其特征在于，所述侧壁氧化层的厚度小于10nm。
3.根据权利要求1所述的整流器，其特征在于，所述底壁氧化层的厚度大于所述侧壁氧化层的厚度。
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