[实用新型]一种整流器

说明书

本实用新型公开了一种整流器，包括衬底，衬底具有沟槽，沟槽的侧壁和底壁分别设置有侧壁氧化层和底壁氧化层，沟槽内设置有多晶硅；衬底的表面设置有绝缘氧化层，绝缘氧化层覆盖在多晶硅的表面，绝缘氧化层、侧壁氧化层和底壁氧化层包裹多晶硅；绝缘氧化层的表面覆盖有阳极金属层，阳极金属层通过接触孔与多晶硅电连接，阳极金属层通过接触孔与第一掺杂区和第二掺杂区欧姆接触；衬底的底部覆盖有阴极金属层，阴极金属层与衬底欧姆接触。本实用新型通过减薄第一氧化层的厚度，使得二极管能够具有更低的正向导通电压，简化了工艺流程。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体为一种整流器。

背景技术

二极管是一种半导体电子器件，其在正向偏置电压下允许电流流动，而在反向偏置电压下阻塞电流。通常，二极管可以为电子管、固态设备或者机械设备。二极管最重要的应用场景是电流整流器，其可以将交流电转换为电脑、移动电话、电视机或其他日通电器所需的直流电。

目前，传统的整流器的功能较为普通，在某些应用中，例如在功率电子应用中，期望二极管能够利用二极管两端尽可能低的电压降来在正向电流中传导高值，例如大于1A、或者甚至大于100A。进一步期望二极管在反向偏置时传导尽可能低的电流。进一步期望二极管能够阻挡电流流动来获得高反向电压值，例如大于10V、或甚至大于100V。

实用新型内容

本实用新型的目的是提出一种整流器，通过减薄第一氧化层的厚度，使得二极管能够具有更低的正向导通电压，简化了工艺流程。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种整流器，包括第一导电类型的衬底，所述衬底具有沟槽，所述沟槽从所述衬底的表面向其内部延伸；

所述沟槽的侧壁和底壁分别设置有侧壁氧化层和底壁氧化层，在由所述侧壁氧化层和所述底壁氧化层形成的所述沟槽内设置有多晶硅；

位于所述多晶硅侧边的所述衬底中设置有第二导电类型的第一掺杂区；

在所述第一掺杂区的上方设置有第一导电类型的第二掺杂区；

所述衬底的表面设置有绝缘氧化层，所述绝缘氧化层覆盖在所述多晶硅的表面，所述绝缘氧化层、侧壁氧化层和底壁氧化层包裹所述多晶硅；

所述绝缘氧化层的表面覆盖有阳极金属层，所述阳极金属层通过接触孔与所述多晶硅电连接，所述阳极金属层通过接触孔与所述第一掺杂区和第二掺杂区欧姆接触；

所述衬底的底部覆盖有阴极金属层，所述阴极金属层与所述衬底欧姆接触。

进一步地，所述侧壁氧化层的厚度小于10nm。

进一步地，所述底壁氧化层的厚度大于所述侧壁氧化层的厚度。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：本实用新型通过减薄第一氧化层的厚度，使得二极管能够具有更低的正向导通电压，简化了工艺流程。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2A为本实用新型在衬底形成沟槽后的结构示意图；

图2B为本实用新型在沟槽内形成底壁氧化层和第一侧壁氧化层后的结构示意图；

图2C为本实用新型去除位于沟槽侧壁的第一侧壁氧化层后的结构示意图；

图2D为本实用新型在沟槽的侧壁形成侧壁氧化层后的结构示意图；

图2E为本实用新型在沟槽内填充多晶硅并对多晶硅进行回刻后的结构示意图；

图2F为本实用新型形成第一掺杂区后的结构示意图；

图2G为本实用新型形成第二掺杂区后的结构示意图；