[实用新型]高压大驱动高电源抑制比LDO

权利要求书

1.一种高压大驱动高电源抑制比LDO，其特征在于，包括共源共栅阻性源退化电路(100)和动态补偿电路(200)，

所述共源共栅阻性源退化电路(100)采用NMOS差分对管输入，获得低压差固定一级输出电压；

动态补偿电路(200)对所述一级输出电压采用动态零点补偿以及动态偏置的方式，获得最终输出电压。

2.根据权利要求1所述的高压大驱动高电源抑制比LDO，其特征在于，所述共源共栅阻性源退化电路(100)包括MOS管Mn0、MOS管Mn1、MOS管Mn2、MOS管Mn3、MOS管Mp0、MOS管Mp1、电阻R0、电阻R2、电阻R3和电流源，

所述MOS管Mn0和MOS管Mn1的源极共同连接电流源的一端，电流源的另一端接地；

MOS管Mn0的栅极连接一级输出电压连接端VREF，漏极与低压电源之间连接电阻R0；MOS管Mn1的漏极与低压电源之间连接电阻R1；

MOS管Mn0的漏极连接MOS管Mp0的源极，MOS管Mp0的漏极连接MOS管Mn2的漏极，MOS管Mn2的源极与接地点之间连接电阻R2；MOS管Mn2的漏极连接栅极；

MOS管Mp0的栅极连接MOS管Mp1的栅极，MOS管Mp1的源极连接MOS管Mn1的漏极，MOS管Mp1的漏极连接MOS管Mn3的漏极，MOS管Mn3的栅极连接MOS管Mn2的栅极，MOS管Mn3的源极与接地点之间连接电阻R3；

所述MOS管Mn3的漏极作为一级输出电压连接端VREF。

3.根据权利要求2所述的高压大驱动高电源抑制比LDO，其特征在于，所述共源共栅阻性源退化电路(100)还包括MOS管Mn5和电容C0，

MOS管Mn3的漏极连接MOS管Mn5的栅极，MOS管Mn5的源极接地，漏极与栅极之间连接电容C0。

4.根据权利要求3所述的高压大驱动高电源抑制比LDO，其特征在于，

所述动态补偿电路(200)包括MOS管Mn4、MOS管Mn6、MOS管Mp2、MOS管Mp3、MOS管PMOSFET、电阻R4、电阻R5和电容C1，

MOS管Mn5的栅极连接MOS管Mn4的栅极，MOS管Mn4的源极接地，漏极连接MOS管Mn6的源极，MOS管Mn6的栅极连接固定偏置电压，MOS管Mn6的漏极连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接高压电源；MOS管Mn6的漏极连接MOS管Mp2的栅极，MOS管Mp2的栅极连接漏极，MOS管Mp2的源极连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接高压电源，电阻R5的另一端与MOS管Mn4的漏极之间连接电容C1；MOS管Mp2的栅极连接MOS管Mp3的栅极，MOS管Mp3的栅极连接漏极，MOS管Mp3的源连接高压电源；MOS管Mp3的栅极连接MOS管PMOSFET的栅极，MOS管PMOSFET的源极连接高压电源，漏极作为中间电压输出端。

5.根据权利要求4所述的高压大驱动高电源抑制比LDO，其特征在于，

所述动态补偿电路(200)还包括片外电阻R_EXT0、片外电阻R_EXT1和片外电容C_L，

MOS管PMOSFET的漏极与接地点之间依次串联片外电阻R_EXT1和片外电阻R_EXT0，片外电容C_L与片外电阻R_EXT1和片外电阻R_EXT0并联；

片外电阻R_EXT1和片外电阻R_EXT0之间的引出线作为连接端VFB，所述连接端VFB连接MOS管Mn1的栅极。