[实用新型]高压大驱动高电源抑制比LDO

说明书

一种高压大驱动高电源抑制比LDO，属于LDO技术领域。本实用新型针对现有技术中为提高电源抑制比对带片外电容LDO电路进行的改造，存在噪声大及电路稳定性差的问题。包括共源共栅阻性源退化电路和动态补偿电路，所述共源共栅阻性源退化电路采用NMOS差分对管输入，获得低压差固定一级输出电压；动态补偿电路对所述一级输出电压采用动态零点补偿以及动态偏置的方式，获得最终输出电压。本实用新型可使输出电压噪声大幅度降低，并保证工作点稳定。

技术领域

本实用新型涉及高压大驱动高电源抑制比LDO，属于LDO技术领域。

背景技术

LDO(低压差线性稳压器)是集成电路中非常关键的部分，是数据转换器、精密放大器以及VCO(压控振荡器)等高级系统的核心部件，这些高级系统均需要高电源抑制比、低噪声以及大电流电源。DCDC输出的噪声电源由于纹波大而不能满足所述高级系统的使用要求。而高性能LDO可以避免上诉弊端，使所述高级系统因为噪声影响性能的概率大幅度降低。因此，LDO的高电源抑制比和低噪声设计至关重要。

带片外电容LDO主要由低频段的1/f噪声主导，1/f噪声在低频段远远高于器件的热噪声。电阻是无源元件，主要贡献热噪声，将普通的MOS管电流源改造成阻性源退化(resistive source degeneration)的电流源，可以显著降低电流输出的低频噪声。因此，在低噪声LDO中，广泛采用阻性源退化结构来降低噪声。

带片外电容LDO电源抑制比最差点环路单位增益带宽处，使用PMOSFET功率管可以实现低压差并且可靠性好，但其PSR(原边反馈)与NMOSFET相比要差，需要通过内部电路结构的改进实现高电源抑制比。

现有技术对LDO电路进行的改造，常常使LDO的工作点在工艺、电压以及温度(PVT)变化的前提下发生很大程度的改变，从而影响LDO电路的性能和其正常工作状态。

实用新型内容

针对现有技术中为提高电源抑制比对带片外电容LDO电路进行的改造，存在噪声大及电路稳定性差的问题，本实用新型提供一种高压大驱动高电源抑制比LDO。

本实用新型的一种高压大驱动高电源抑制比LDO，包括共源共栅阻性源退化电路和动态补偿电路，

所述共源共栅阻性源退化电路采用NMOS差分对管输入，获得低压差固定一级输出电压；

动态补偿电路对所述一级输出电压采用动态零点补偿以及动态偏置的方式，获得最终输出电压。

根据本实用新型的高压大驱动高电源抑制比LDO，所述共源共栅阻性源退化电路包括MOS管Mn0、MOS管Mn1、MOS管Mn2、MOS管Mn3、MOS管Mp0、MOS管Mp1、电阻R0、电阻R2、电阻R3和电流源，

所述MOS管Mn0和MOS管Mn1的源极共同连接电流源的一端，电流源的另一端接地；

MOS管Mn0的栅极连接一级输出电压连接端VREF，漏极与低压电源之间连接电阻R0；MOS管Mn1的漏极与低压电源之间连接电阻R1；

MOS管Mn0的漏极连接MOS管Mp0的源极，MOS管Mp0的漏极连接MOS管Mn2的漏极，MOS管Mn2的源极与接地点之间连接电阻R2；MOS管Mn2的漏极连接栅极；

MOS管Mp0的栅极连接MOS管Mp1的栅极，MOS管Mp1的源极连接MOS管Mn1的漏极，MOS管Mp1的漏极连接MOS管Mn3的漏极，MOS管Mn3的栅极连接MOS管Mn2的栅极，MOS管Mn3的源极与接地点之间连接电阻R3；

所述MOS管Mn3的漏极作为一级输出电压连接端VREF。

根据本实用新型的高压大驱动高电源抑制比LDO，所述共源共栅阻性源退化电路(100)还包括MOS管Mn5和电容C0，