[实用新型]一种芯片封装结构及电子设备有效
| 申请号： | 202021662199.1 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN212570977U | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 姜域 | 申请（专利权）人： | 上海艾为电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 201199 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 封装 结构 电子设备 | ||
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
倒装设置的待封装芯片，所述待封装芯片上设有多个待引出连接点；
多个电镀引脚，所述多个电镀引脚与多个所述待引出连接点一一对应，且所述电镀引脚和与所述电镀引脚对应的待引出连接点固定连接。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：
多个防氧化层，所述多个防氧化层与所述多个电镀引脚一一对应，所述防氧化层位于与所述防氧化层对应的电镀引脚背离所述待封装芯片一侧表面。
3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述防氧化层包括电镀金层或高分子材料层。
4.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述防氧化层的厚度的取值范围为0μm～1μm。
5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：
将所述待封装芯片、所述多个电镀引脚封装在一起的塑封层，所述塑封层至少暴露出所述电镀引脚的一部分。
6.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述电镀引脚的高度的取值范围为10μm～100μm。
7.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述电镀引脚的直径的取值范围为10μm～300μm。
8.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述待引出连接点包括铜柱凸点或锡凸点或金凸点。
9.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述待引出连接点的长度的取值范围为5μm～100μm。
10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的芯片封装结构。
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