[实用新型]半导体芯片封装结构与电子设备

说明书

本实用新型提供了一种半导体芯片封装结构与电子设备，其中的半导体芯片封装结构，包括：半导体器件芯片、框架结构与散热片；所述半导体器件芯片设于所述框架结构的第一侧表面，所述散热片设于所述半导体器件芯片的与所述框架结构相背的一侧，所述散热片的与所述半导体器件芯片相背的一侧表面对外连通。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体芯片封装结构与电子设备。

背景技术

半导体芯片，可理解为基于半导体材料而制成的芯片，具体可例如硅芯片、GaN芯片等等，在实际应用时，可将其与其他器件、结构封装在一起，形成半导体芯片封装结构。

现有相关技术中，在半导体封装结构中，可设有半导体器件芯片与框架结构(可理解为包括引线框架)，同时可填充有封装材料，然而，以GaN芯片为例，半导体器件芯片的散热只能通过包裹于芯片外的封装材料实现，散热性能不佳，难以满足散热需求。

实用新型内容

本实用新型提供一种半导体芯片封装结构与电子设备，以解决仅通过封装材料实现散热时，散热性能不佳的问题。

根据本实用新型的第一方面，提供了1.一种半导体芯片封装结构，包括：半导体器件芯片、框架结构与散热片；所述半导体器件芯片设于所述框架结构的第一侧表面，所述散热片设于所述半导体器件芯片的与所述框架结构相背的一侧，所述散热片的与所述半导体器件芯片相背的一侧表面对外连通。

可选的，所述框架结构的第一侧表面还设有第一下凹区域，所述第一下凹区域的位置覆盖了所述半导体器件芯片的至少部分非连接区域，所述非连接区域指对应芯片正对所述框架结构的表面中未用于连接所述框架结构的区域，所述第一下凹区域填充有封装材料。

可选的，所述半导体芯片封装结构，还包括控制芯片，所述控制芯片设于所述框架结构的第一侧表面。

可选的，所述第一下凹区域的位置还覆盖了所述控制芯片的至少部分非连接区域。

可选的，所述框架结构的第二侧表面还设有第二下凹区域，部分所述第二下凹区域与部分所述第一下凹区域沿所述框架结构的厚度方向互相连接，以形成贯穿所述第一侧表面与所述第二侧表面的贯通区域，所述第二下凹区域也填充有封装材料。

可选的，所述框架结构的第一侧表面填充有封装材料；所填充的封装材料满足以下至少之一：

所述半导体器件芯片的未用于连接所述散热片与所述框架结构的表面均被对应位置的封装材料包裹；

所述控制芯片的未用于连接所述框架结构的表面均被对应位置的封装材料包裹；

所述散热片的与所述半导体器件芯片相背的一侧表面与周围所填充的封装材料持平。

可选的，所述半导体器件芯片通过第一导电焊接材料连接所述框架结构；

所述控制芯片通过铜柱焊接于设于所述框架结构的第二导电焊接材料。

可选的，所述半导体器件芯片通过导热焊接材料连接所述散热片。

可选的，所述半导体器件芯片为GaN芯片。

根据本实用新型的第二方面，提供了一种电子设备，包括第一方面及其可选方案涉及的半导体芯片封装结构。

本实用新型提供的半导体芯片封装结构与电子设备中，半导体器件芯片的与框架结构相背的一侧表面可设有散热片，通过散热片的对外散热，便于高效地将半导体器件芯片的热量迅速散到环境中，有效提高了半导体芯片封装结构的散热性能。

附图说明