[实用新型]一种用于半导体蚀刻反应腔室的全自动刷镀镍的移动机构有效
申请号: | 202021668466.6 | 申请日: | 2020-08-12 |
公开(公告)号: | CN212834080U | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 黎纠 | 申请(专利权)人: | 帝京半导体科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | C25D5/06 | 分类号: | C25D5/06;C25D21/12 |
代理公司: | 杭州知杭知识产权代理事务所(普通合伙) 33310 | 代理人: | 夏艳 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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搜索关键词: | 一种 用于 半导体 蚀刻 反应 全自动 刷镀镍 移动 机构 | ||
本实用新型公开了一种用于半导体蚀刻反应腔室的全自动刷镀镍的移动机构,包括垂直移动支架,水平横向移动支架和水平纵向移动支架;所述的垂直移动支架由四根圆柱体立柱组成,所述的水平横向移动支架由两根长方体立柱组成,所述的水平纵向移动支架为正方体立柱,正方体立柱安装于水平横向移动支架的长方体立柱上,长方体立柱设置有燕尾槽。本实用新型的优点在于移动机构通过垂直移动支架、水平横向移动支架和水平纵向移动支架实现对电镀刷在垂直方向和水平方向的移动控制,在处理多个被镀工件时,自动控制可以减轻操作人员的劳动强度,提高工作效率的同时保证镀层质量,避免操作人员长期近距离接触镀液,保护操作人员的健康安全。
技术领域
本实用新型涉及刷镀镍技术领域,特别是涉及一种用于半导体蚀刻反应腔室的全自动刷镀镍的移动机构。
背景技术
半导体蚀刻也称半导体光化学蚀刻,通过曝光制版将蚀刻区域的保护膜去除,去除保护膜的区域在蚀刻时被溶解和腐蚀,进而形成凹凸和镂空成型的效果;随着芯片集成度提高和尺寸的缩小,高精确的等离子体刻蚀工艺越来越重要,其中半导体蚀刻设备中的蚀刻反应腔室是不可缺少的部件,由于等离子体在蚀刻过程中,蚀刻反应腔的表面同样会被等离子体损伤,尤其是气体入口附近,因为等离子体的尖端放电效应,此处受损最为严重,这样对蚀刻反应腔室产生两方面的问题,首先由于反应腔壁受损,其产生的微小粒子容易影响到反应腔中的被蚀刻物质,在其上形成缺陷,从而给后续工艺以及良率带来负面影响;另一方面,反应腔在使用到一定程度后就需要根据受损程度更换以保证设备的正常使用。
为了保护蚀刻设备,通常会对蚀刻反应腔的表面进行电刷镀,电刷镀也称为涂镀或无槽电镀,属于电化学加工中电镀工艺的范筹,利用电镀液中的金属离子在电场的作用下将镀覆沉积到阴极,金属离子在作为负极的工件表面上放电结晶,形成金属覆盖层,电镀时采用一个同阳极连接并能提供电镀需要的电解液的电镀笔,将电镀笔在作为阴极的工件上移动进行电镀,其中电镀笔为不溶性阳极,镀液采用有机镍合物的金属盐水溶液,刷镀时电镀笔与工件表面接触并不断地移动。
现有的刷镀镍装置依靠一个与阳极接触的电镀笔提供电镀需要的电解液,电镀时电镀笔在被镀的阴极上移动,电镀笔使用定制的电镀溶液和专用的直流电源,工作时被镀工件连接电源的负极,镀笔连接电源的正极,连接阳极的电镀笔周围包裹着电镀液,电镀笔在工件表面擦拭,电镀液中的金属离子在工件表面与阳极相接触的各点上发生放电结晶,随着时间增长镀层逐渐加厚从而覆盖在被镀工件的表面。但是目前的刷镀镍装置无法满足半导体蚀刻反应腔室的表面处理要求,在使用现有刷镀镍装置进行电镀过程中,被镀工件与镀笔存在相对运动速度不均匀的现象,运动速度不均匀会造成在断续结晶的过程中镀层表面会产生颗粒物,而且电镀层与电镀层之间的结合力不良,从而引起镀层起泡和脱落的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种用于半导体蚀刻反应腔室的全自动刷镀镍的移动机构,从而实现对电镀刷在垂直方向和水平方向的移动控制,减轻操作人员的劳动强度,在提高工作效率的同时保证镀层质量,而且避免操作人员长期近距离接触镀液,保护操作人员的健康安全。
一种用于半导体蚀刻反应腔室的全自动刷镀镍的移动机构,包括垂直移动支架,水平横向移动支架和水平纵向移动支架;所述的垂直移动支架由四根圆柱体立柱组成,圆柱体立柱垂直于水平面且相互平行,四根圆柱体立柱分别位于长方形的四个角;所述的水平横向移动支架由两根长方体立柱组成,长方体立柱安装于垂直移动支架的圆柱体立柱上,长方体立柱与圆柱体立柱相互垂直,两根长方体立柱位于同一水平面且相互平行,所述的水平纵向移动支架为正方体立柱,正方体立柱安装于水平横向移动支架的长方体立柱上,长方体立柱与水平横向移动支架的长方体立柱相互垂直,长方体立柱设置有燕尾槽。
进一步,水平横向移动支架与垂直移动支架之间只有一个自由度,垂直移动支架与水平面相互垂直,且垂直移动支架与水平面为固定连接,水平横向移动支架通过环套结构安装于垂直移动支架上,水平横向移动支架在垂直方向移动。
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