[实用新型]减小放大器噪声的熔丝结构有效
| 申请号： | 202021683530.8 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN212783459U | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 郭虎;徐婷婷;王照新;李建伟 | 申请（专利权）人： | 苏州航芯时代微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/417 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港市经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减小 放大器 噪声 结构 | ||
1.一种减小放大器噪声的熔丝结构，其特征在于： 包括底部的集电区N型衬底，集电区N型衬底底部与集电极c相连；
所述集电区N型衬底上方的沟槽内设有基区P型衬底；
所述基区P型衬底上方的沟槽内设有发射区N型衬底；
所述集电区N型衬底的顶部、基区P型衬底的顶部以及所述发射区N型衬底的顶部，设有二氧化硅层（3）；
所述基区P型衬底顶部二氧化硅层（3）上的光刻凹槽与基极b相连；
所述发射区N型衬底顶部二氧化硅层（3）上的光刻凹槽内注入有含锑的多晶硅N型层（1）；所述多晶硅N型层（1）向二氧化硅层（3）顶部延伸；
所述多晶硅N型层（1）的上方中心设有光刻凹槽，所述多晶硅N型层（1）的表面设有含As的多晶硅熔丝（4），所述多晶硅熔丝（4）上方填充有金属层（2）。
2.根据权利要求1所述的一种减小放大器噪声的熔丝结构，其特征在于：
所述基区P型衬底为掺硼的多晶硅。
3.根据权利要求1所述的一种减小放大器噪声的熔丝结构，其特征在于：
所述二氧化硅层（3）通过高压氧化形成，所述二氧化硅层（3）的厚度为0.1μm。
4.根据权利要求1所述的一种减小放大器噪声的熔丝结构，其特征在于：
所述多晶硅N型层（1）的厚度为0.2μm。
5.根据权利要求1所述的一种减小放大器噪声的熔丝结构，其特征在于：
所述集电区N型衬底的凹槽内注射有磷杂质层，所述基区P型衬底设于所述磷杂质层的上方。
6.根据权利要求1所述的一种减小放大器噪声的熔丝结构，其特征在于：
所述金属层（2）为钛铝合金电极。
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