[实用新型]减小放大器噪声的熔丝结构有效
申请号: | 202021683530.8 | 申请日: | 2020-08-13 |
公开(公告)号: | CN212783459U | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 郭虎;徐婷婷;王照新;李建伟 | 申请(专利权)人: | 苏州航芯时代微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/732 | 分类号: | H01L29/732;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/417 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215600 江苏省苏州市张家港市经济*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 减小 放大器 噪声 结构 | ||
本实用新型公开了一种减小放大器噪声的熔丝结构,包括底部的集电区N型衬底,集电区N型衬底底部与集电极c相连;集电区N型衬底上方的沟槽内设有基区P型衬底;基区P型衬底上方的沟槽内设有发射区N型衬底;集电区N型衬底的顶部、基区P型衬底的顶部,以及发射区N型衬底的顶部,设有二氧化硅层;基区P型衬底顶部二氧化硅层上的光刻凹槽与基极b相连;发射区N型衬底顶部二氧化硅层上的光刻凹槽内注入有含锑的多晶硅N型层;多晶硅N型层向二氧化硅层顶部延伸;多晶硅N型层的上方中心设有光刻凹槽,多晶硅N型层的表面设有含As的多晶硅熔丝,多晶硅熔丝上方填充有金属层。本实用新型保证了发射频率,减小了阻值,降低了内部热噪声,可靠性高,使用寿命长。
技术领域
本实用新型涉及一种减小放大器噪声的熔丝结构。
背景技术
放大器噪声就是放大信号中不属于原有信号,且混杂在原信号中又很难分离的部分,噪声的存在将严重地影响着放大器功能的发挥,甚至会淹没有用的信号。因此,无论什么样的放大电路都应该尽量避免产生新的噪声。
放大器中三极管是核心。三极管的原理有截止、放大、饱和三种工作状态。放大状态主要应用于模拟电路中,随着集成电路产业的迅速发展,放大器采用多晶熔丝结构。与传统的放大器相比,熔丝放大器高效率和低能耗的优点,然而,熔丝放大器中的噪声依然会产生,熔丝放大器中的噪声大多取决于电阻。因此在保证熔丝放大器高效率和低能耗优点的同时,如何减小电阻,降低放大器的噪声是本专利待解决的问题。
实用新型内容
实用新型目的:本实用新型的目的是为了解决现有技术中的不足,提供一种降低电阻,降低内部热噪声,减小放大器噪声的熔丝结构。
技术方案:本实用新型一种减小放大器噪声的熔丝结构,包括底部的集电区N型衬底,集电区N型衬底底部与集电极c相连;
集电区N型衬底上方的沟槽内设有基区P型衬底;
基区P型衬底上方的沟槽内设有发射区N型衬底;
集电区N型衬底的顶部、基区P型衬底的顶部,以及发射区N型衬底的顶部,设有二氧化硅层;
基区P型衬底顶部二氧化硅层上的光刻凹槽与基极b相连;
发射区N型衬底顶部二氧化硅层上的光刻凹槽内注入有含锑的多晶硅N型层;多晶硅N型层向二氧化硅层顶部延伸;
多晶硅N型层的上方中心设有光刻凹槽,多晶硅N型层的表面设有含As的多晶硅熔丝,多晶硅熔丝上方填充有金属层。
本实用新型的进一步改进在于,基区P型衬底为掺硼的多晶硅。
本实用新型的进一步改进在于,二氧化硅层通过高压氧化形成,二氧化硅层3的厚度为0.1μm。
本实用新型的进一步改进在于,多晶硅N型层的厚度为0.2μm。
本实用新型的进一步改进在于,集电区N型衬底的凹槽内注射有磷杂质层,基区P型衬底设于磷杂质层的上方。
本实用新型的进一步改进在于,金属层为钛铝合金电极。
与现有技术相比,本实用新型提供的一种减小放大器噪声的熔丝结构,至少实现了如下的有益效果:
1、在多晶硅发射极上进一步衍生含锑的多晶硅N型层、多晶硅熔丝,保证了发射频率的同时,减小了阻值,降低了内部热噪声。
2、基区P型衬底为掺硼的多晶硅,减小了基区电压,从而提高减小放大器噪声的效果。
3、采用0.1μm厚度的二氧化硅层,保证集成电路不被高温和强电流对集成电路芯片的冲击,能够防止大电压击穿整个放大器,保证了放大器的使用寿命。
4、晶硅N型层1的厚度为0.2μm,既保证了发射极电阻的减小,同时又有效的提高了器件的发射频率。
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