[实用新型]具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片

权利要求书

1.一种具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片，其特征在于，包括：

一晶片本体为一碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片，其包括源极、闸极及汲极；该源极及闸极设置在该晶片本体的上方，而该碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片的汲极设置在下方；以及其中该闸极的面积大于3mm×3mm。

2.如权利要求1所述的具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片，其特征在于，该碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片配置两源极，分别位于该闸极的两侧。

3.如权利要求1所述的具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片，其特征在于，该闸极配置在该晶片本体上表面的一侧边的中央部位，该源极填满该上表面，位于该闸极以外的其余区域，该汲极填满该晶片本体的下表面；该源极分成两不同的区域。

4.如权利要求1所述的具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片，其特征在于，该闸极设置在该晶片本体上表面的一角落，该源极填满该上表面，位于该闸极以外的其余区域，该汲极填满该晶片本体的下表面；该源极分成两不同的区域。

5.如权利要求1所述的具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片，其特征在于，该闸极配置在该晶片本体上表面的中央部位，该源极填满该上表面，位于该闸极以外的其余区域，该汲极满该晶片本体的下表面；该源极分成两不同的区域。

6.如权利要求1至5任一项所述的具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片，其特征在于，该闸极分为两部分，该两闸极分别拉出两闸极接点；使用时，该两闸极接点分别连接不同的驱动源；该驱动源具有不同的驱动电压及频率。

7.如权利要求1至5任一项所述的具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片，其特征在于，该源极及该汲极为高掺杂的N+型半导体区，其间用P型半导体及低掺杂的N-型半导体予以隔开；当导通时，该源极及该汲极之间形成电流通道。

8.如权利要求1至5任一项所述的具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片，其特征在于，该源极及该汲极为高掺杂的P+型半导体区，其间用N型半导体及低掺杂的P-型半导体予以隔开；当导通时，该源极及该汲极之间形成电流通道。