[实用新型]具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片

说明书

一种具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片，包括：一晶片本体；其包括源极、闸极及汲极；该碳化硅V型金氧半导体场效晶体(VMOSFET)晶片的源极及闸极配置在该晶片本体的上方，而该VMOSFET晶片的汲极则配置在下方；以及其中该闸极的面积大于3mm×3mm；此面积使得该碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片可以承受相当大的电流，而且外接的导线可以很容易地安装到该闸极上。

技术领域

本实用新型有关于MOSFET晶片，尤其是一种具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片。

背景技术

如图1所示，为一现有的VMOS晶片2’，即功率MOSFET(Power MOSFET)。该源极10'及该汲极30'为高掺杂的N+型半导体区，其间并用P型半导体及低掺杂的N-型半导体予以隔开。其中该源极10'、该汲极30'及该闸极G以金属接点导引出来。当导通时，该源极10'及该汲极30'之间形成电流通道，因为高掺杂的N+型半导体区所形成的该源极10’及该汲极30’所占的面积相当大，所以可以承载相当大的电流。功率MOSFET(Power MOSFET)导通时只有一种极性的载流子参与导电，是单极性晶体，导电方式与小功率MOS相同，但结构上有较大区别，一般小功率MOS是横向导电器件，而功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET(Vertical MOSFET)，此种垂直导电结构可以大大提高MOSFET的耐压和耐电流能力。

如图2所示，VMOS为一种垂直型态的MOS结构，汲极30’位于VMOS晶片2’的下方，闸极20’及源极10’则位于VMOS晶片2’的上方，所以可以在汲极30’及闸极20’之间形成相当大的通道区域，因此可以承载较大的电流。此类型的晶片适合使用在高功率的操作上。但是此类型的晶片必须将源极10’的面积尽量做得相当大，相对的闸极20’所占的面积也就相当的小，一般在2mm×2mm以下，甚至小到0.2mm×0.2mm，对于此类过小的面积，当要将导线连接到闸极20’时，在施工上相当不容易。

故本实用新型希望提出一种崭新的具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片，以解决上述现有技术上的缺陷。

实用新型内容

所以本实用新型的目的为解决上述现有技术上的问题，本实用新型中提出一种具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片，将一VMOSFET晶片的闸极的面积尽量的加大，以利于半导体封装时的施工作业。因此可以节省人工成本。其中在本实用新型的晶片中配置两源极，分别位于该闸极的两侧，因此可以驱动较大的电流。而且该闸极分为两部分，使用时该两闸极分别拉出闸极接点G及G'。使用时该闸极接点G及G'分别连接不同的驱动源。该驱动源可以具有不同的驱动电压及频率，并且可以控制该碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片的通道宽度及源极及汲极之间的电流变化已达到不同的效应。

为达到上述目的本实用新型中提出一种具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片，包括：一晶片本体；其包括源极、闸极及汲极；该碳化硅V型金氧半导体场效晶体（VMOSFET）晶片的源极及闸极配置在该晶片本体的上方，而该VMOSFET晶片的汲极则配置在下方；以及其中该闸极的面积大于3mm×3mm；此面积使得该碳化硅V型金氧半导体场效应晶体晶片可以承受相当大的电流，而且外接的导线可以很容易地安装到该闸极上。

进一步的，该碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片配置两源极，分别位于该闸极的两侧。

进一步的，该闸极配置在该晶片本体上表面的一侧边的中央部位，该源极填满该上表面，位于该闸极以外的其余区域，该汲极填满该晶片本体的下表面；该源极分成两不同的区域。

进一步的，该闸极设置在该晶片本体上表面的一角落，该源极填满该上表面，位于该闸极以外的其余区域，该汲极填满该晶片本体的下表面；该源极分成两不同的区域。

进一步的，该闸极配置在该晶片本体上表面的中央部位，该源极填满该上表面，位于该闸极以外的其余区域，该汲极满该晶片本体的下表面；该源极分成两不同的区域。