[实用新型]一种封装结构有效
| 申请号： | 202021703848.8 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN212725301U | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 赵承贤;李鑫;颜志进;刘浩;周新龙;盘伶子 | 申请（专利权）人： | 珠海格力新元电子有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/495;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 葛钟 |
| 地址： | 519000 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种封装结构，其应用于IPM智能功率模块的封装，其特征在于，包括引线框架、晶体管芯片和驱动芯片，所述晶体管芯片安装于所述引线框架，所述驱动芯片在垂直于所述引线框架的Z方向上设置于所述晶体管芯片的上方形成三维堆叠结构。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述驱动芯片固接于所述晶体管芯片的焊点处。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述驱动芯片通过绝缘胶粘接于所述晶体管芯片的焊点处。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述晶体管芯片焊接于所述引线框架。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述三维堆叠结构包括依次设置的所述引线框架、焊锡层或银浆层、所述晶体管芯片、铝线焊点层、绝缘胶层和所述驱动芯片。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述IPM智能功率模块的FRD芯片安装于所述引线框架。
7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述引线框架具有下沉结构，所述晶体管芯片与所述FRD芯片均安装于所述下沉结构。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述引线框架具有下沉结构，所述晶体管芯片安装于所述下沉结构。
9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述晶体管芯片为IGBT芯片或MOSFET芯片。
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