[实用新型]一种封装结构

说明书

本实用新型提供了封装结构，涉及芯片封装技术领域，解决了现有IPM智能功率模块采用二维封装结构导致产品体积较大的技术问题。该封装结构包括引线框架、晶体管芯片和驱动芯片，所述晶体管芯片安装于所述引线框架，所述驱动芯片在垂直于所述引线框架的Z方向上设置于所述晶体管芯片的上方形成三维堆叠结构。驱动芯片在垂直于引线框架的Z方向上设置于晶体管芯片的上方而形成三维堆叠结构，与传统的晶体管芯片与驱动芯片均设置于引线框架的结构相比，取消了引线框架上驱动芯片的固晶部位，大大节省了空间，实现了产品体积的小型化；而且驱动芯片在晶体管芯片上进行堆叠固晶，缩小了驱动芯片与晶体管芯片的距离，过温保护更加精确可靠。

技术领域

本实用新型涉及芯片封装技术领域，尤其是涉及一种封装结构。

背景技术

现有传统型IPM智能功率模块封装结构采用二维封装结构，如图1所示。驱动芯片MIC与IGBT芯片分别在引线框架上特定的PAD位上进行固晶，两个芯片固晶位置在沿引线框架宽度的Y方向上均占用了产品1/3的空间，导致产品体积相对较大，并且此封装结构限制了产品体积的小型化。

另外，此封装结构驱动芯片MIC与IGBT芯片之间的空间距离较大，IGBT 芯片在应用端使用时会产生热量，而驱动芯片MIC与IGBT芯片的空间距离较大，就会导致驱动芯片MIC检测到的温度与IGBT芯片实际的温度有段差，导致驱动芯片MIC未及时进行保护而致使IGBT芯片过温击穿损坏。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种封装结构，以解决现有技术中存在的IPM 智能功率模块采用二维封装结构导致产品体积较大的技术问题。本实用新型提供的诸多技术方案中的优选技术方案所能产生的诸多技术效果详见下文阐述。

为实现上述目的，本实用新型提供了以下技术方案：

本实用新型提供的一种封装结构，其应用于IPM智能功率模块的封装，包括引线框架、晶体管芯片和驱动芯片，所述晶体管芯片安装于所述引线框架，所述驱动芯片在垂直于所述引线框架的Z方向上设置于所述晶体管芯片的上方形成三维堆叠结构。

可选地，所述驱动芯片固接于所述晶体管芯片的焊点处。

可选地，所述驱动芯片通过绝缘胶粘接于所述晶体管芯片的焊点处。

可选地，所述晶体管芯片焊接于所述引线框架。

可选地，所述三维堆叠结构包括依次设置的所述引线框架、焊锡层或银浆层、所述晶体管芯片、铝线焊点层、绝缘胶层和所述驱动芯片。

可选地，所述IPM智能功率模块的FRD芯片安装于所述引线框架。

可选地，所述引线框架具有下沉结构，所述晶体管芯片与所述FRD芯片均安装于所述下沉结构。

可选地，所述引线框架具有下沉结构，所述晶体管芯片安装于所述下沉结构。

可选地，所述晶体管芯片为IGBT芯片或MOSFET芯片。

本实用新型提供的一种封装结构，封装结构包括引线框架、晶体管芯片和驱动芯片，晶体管芯片安装于引线框架，驱动芯片在垂直于引线框架的Z方向上设置于晶体管芯片的上方而形成三维堆叠结构，与传统的晶体管芯片与驱动芯片均设置于引线框架的结构相比，大大节省了空间，实现了产品体积的小型化；而且驱动芯片在晶体管芯片上进行堆叠固晶，缩小了驱动芯片与晶体管芯片的距离，过温保护更加精确可靠。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术IPM智能功率模块封装结构的俯视结构示意图；